1) C-V characteristics
C-V特性
1.
Study of the C-V characteristics of the In/ Bi_4Ti_3O_(12)/p-Si structure;
MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究
2.
The C-V characteristics of the MOS capacitor with ultra thin HfO2 as gate dielectrics pretreated in NH4F and annealed in high temperature are investigated by simulation and experiment.
对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究,理论分析的界面态分布与实验结果吻合。
3.
The distortion of the C-V characteristics of a SiC buried-channel MOS structure is presented.
用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变。
2) C-V characteristic
C-V特性
1.
C-V characteristic of Study on SiGe/Si pn heterojunction;
SiGe/Si异质pn结的反向C-V特性研究
2.
C-V characteristics of 6H-SiC buried-channel MOSFET
6H-SiC埋沟MOSFET的C-V特性研究
3.
The deposition rate,composition and C-V characteristic have been investigated.
研究了薄膜的C-V特性;获得了O2流量、射频功率及退火温度对薄膜电学性能的影响规律。
3) C-V property
C-V特性
1.
C-V property of organic function am is measured for some kinds of laminanted-layer structure of metal.
测定了多种具有金属／L－B膜绝缘层／半导体（Si）结构的纳米厚度有机功能膜的C－V特性。
4) V-PTC characteristic
V-PTC特性
5) V-I property
V-2特性
6) I-V properties
I-V特性
1.
Study of I-V properties in Si/SiO_2 multi-layer films;
Si/SiO_2多层膜的I-V特性研究
2.
Effect of microstructure on the I-V properties of Si/SiO_2 film
薄膜结构对Si/SiO_2 I-V特性的影响
补充资料：3D特性
翻译为：AlphaBlending(α混合) 简单地说这是一种让3D物件产生透明感的技术。屏幕上显示的3D物件，每个像素中有红、绿、蓝三组数值。若3D环境中允许像素能拥有一组α值，我们就称它拥有一个α通道。α值的内容，是记载像素的透明度。这样一来使得每一个物件都可以拥有不同的透明程度。比如说，玻璃会拥有很高的透明度，而一块木头可能就没什么透明度可言。α混合这个功能，就是处理两个物件在萤幕画面上叠加的时候，还会将α值列入考虑，使其呈现接近真实物件的效果。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条