2) Non-elastic collision
非弹性碰撞
1.
The experiments of non-elastic collision between the Newton s balls are carried out with its results discussed,by which many problems of non-elastic collision in engineering could be guided.
对于牛顿球之间的非弹性碰撞实验进行分析和讨论 ,其结果既体现牛顿定理的应用 ,又对工程中许多非弹性碰撞问题的研究具有指导作用。
2.
This paper analyzes mainly the dynamic behaviors following the non-elastic collision with envi-ronment.
本文着重分析了与环境发生非弹性碰撞时腕力传感器的动态特性，研究表明，接触环境刚度不同，碰撞后的运动情形也不同。
3) inelastic collision
非弹性碰撞
1.
Kinetic modeling of dilute solid-liquid two-phase flows with inelastic collisions
考虑非弹性碰撞的低浓度固液两相流动理学模型
4) non-perfect elastic collision
非完全弹性碰撞
1.
Based on considering the tamper weig ht itself and the non-perfect elastic collision of the tamper and ground i n dynamic compaction(DC),series solutions of the displaceme nt,velocity,acceleration and impact stress were derived by use of the half space theory.
在考虑夯锤自重的基础上,结合动力基础半空间理论,并基于夯锤与土体的非完全弹性碰撞,导出了强夯夯锤位移、速度、加速度和锤底冲击应力时程关系等一系列解析式。
5) completely inelastic collision
完全非弹性碰撞
1.
On the completely inelastic collision and the coefficient of restitution;
也谈完全非弹性碰撞和恢复系数
2.
From the problem of the collision between small ball and homogeneous pole, the rules followed by different type of collisions are discussed, and the energy features of completely inelastic collision are summarized.
从小球与均质定轴杆(质心轴)的碰撞问题出发,讨论了不同类型碰撞所遵循的物理规律,总结了完全非弹性碰撞过程的能量特征。
3.
The physical rule of the collision of a particle and a bar is discussed,the energy relation in completely inelastic collision is cleared,and it is turned out that the two bodies not necessarilly move together after completely inelastic collision.
讨论了小球与自由杆碰撞过程中所遵从的物理规律,明确了完全非弹性碰撞过程的能量特征,指出完全非弹性碰撞后两物体不一定粘在一起共同运动的事实。
6) Rotationally inelastic collision
转动非弹性碰撞
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条