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1)  vertical transport
纵向输运
1.
Simulation of the effect of the drift velocity line shape on the vertical transport in doped GaAs/AlAs superlattice with weak coupling;
模拟计算漂移速度线形对弱耦合超晶格纵向输运的影响
2.
Application of simulated calculation for superlattice vertical transport with MATLAB;
MATLAB在超晶格纵向输运模拟计算中的应用
3.
Measurements of the vertical transport I-V curves of two type-I GaAs/AlAs superlattice samples with doped wells and weak coupling between wells are performed with quasistatic sweeping and high-speed sweeping of the bias.
报告并分析了GaAs/AlAs阱间弱耦合且阱中掺杂的第一类超晶格样品在77K温度下分别以动态高速扫描方式和准静态低速扫描方式所测量的纵向输运的I-V曲线。
2)  phloem-xylem transport
纵向运输
3)  vertical transport under magnetic field
磁场下纵向输运
4)  longitudinal transport
纵向输移
1.
Based on the measured data in 2003,the longitudinal material transport model was employed to calculate the longitudinal transport of water and sediment in the west channel of Lingdingyang Bay during ghe flood season with spring tides.
根据2003年实测数据,运用物质纵向输移模式计算了丰水大潮期伶仃洋西槽的水量和泥沙纵向输移量,研究了伶仃洋西槽洪季水沙纵向输移机制及水量输移特征,并针对泥沙输移特征,用底层流速和含沙量的相位变化以及表底层盐度的变化对悬沙输移机制进行了分析。
5)  longitudinal motion
纵向运动
1.
The test results show that the longitudinal motions of the hybrid monohull s.
试验结果表明,所开发的单体复合船型可显著抑制舰船的纵向运动,具有合理的线型、尺度和布局的组合附体所形成的单体复合船型,对原船的静水阻力影响不大。
2.
Due to the lower efficiency of stratospheric airship s motion control, changing the center of gravity position in order to control airship s longitudinal motion was discussed.
本文针对目前平流层飞艇的运动控制效率较低的问题,重点研究了改变平流层飞艇重心的轴向位置来控制飞艇的纵向运动。
3.
A mathematical model of longitudinal motion control system on SWATH is presented and its experimental platform is established in this paper.
提出了小水线面双体船纵向运动控制系统的数学模型,并建立了该系统的试验平台,开展了前后鳍静态和动态水动力特性试验,分别进行了无控船模和前后鳍控制船模在规则波中的耐波性试验。
6)  longitudinal movement
纵向运动
1.
Based on a typical ship, this paper establishes a model of longitudinal movement and then discusses three ways of disturbance estimation: central difference, corlored Kalman filter and extended Kalman filter.
研究船舶纵向运动受扰力和力矩的估计对于船舶纵向减摇控制是非常必要的。
2.
The code considers both transverse and longitudinal movements in the accelerators using a used 4 order variable step Runge Kutta method to calculate the beam envelope of the transverse movement, the phase oscillation curve of the longitudinal movement, the energy growth, the energy distribution at the exit, and the longitudinal electric and magnetic field distributions.
L INE- ACC/ PC程序同时考虑了加速器中的横向运动与纵向运动 ,运用了四阶变步长 Runge- Kutta法计算了行波电子直线加速器束流横向运动包络线、纵向运动相振荡曲线、能量增长、出口能量分布和纵向电场、磁场分布。
补充资料:半导体的导电与电荷输运


半导体的导电与电荷输运
conductance and charge transport in semiconductor

  “一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射,r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射,r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下,r一1。如果n》P,有R一r(二皿)2一3 一 一一 、/ r /、式中E为电子能量。对P之0,有 e如果P》n,有 肠一丽轰在类似假设下,空穴迁移率召p也有类似洲n的公式,即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n,l、了(-r气—少 即召一~下沌不#取决于m‘和<价,在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射,相应迁移率召,为由上两式,如果测定了霍耳系数,据其符号可以确定半导体的导电类型,而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况,有R6~一塑n;对于力》”的情况,有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m*能3{,n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度,‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢,近似有 ,,二(,,)一斌一‘T普对于声学声子散射,相应载流子迁移率角公式为 卫亘一r 召测量电导与霍耳系数,可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r,它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘,州m,)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数,即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射,相应的迁移率脚p为匕 丸21,11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百,-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率,匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。 对于几种散射机构同时起作用的情况,载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时,迁移率分别为角、脚和灼,则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中,若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上),当载流子是电子(空穴)时,它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面,它又受到洛伦兹力作用,相对漂移运动方向偏转,在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠,对电子与空穴来说,其方向正相反,该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日,式中R为与I、B无关的常数,称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚,r一<尸>/(价2。在非简并情况下,对 图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴 磁阻假设磁场足够弱,并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强,则发现半导体的电阻显著增大,这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻),对于刀》P的情况,△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~,八一2二2D2,、二_,,、,,八2/、,的情况,~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位,而B以10‘高斯为单位。 强电场下电导与热载流子在弱电场情况下,电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度,即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体,为10”V/cm量级),载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见,电场进一步增强时,锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化,载流子密度增加。
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参考词条