1) silicon micron whisker
硅微米晶须
1.
Effects of ambient pressure on the growth of silicon nanowire and silicon micron whiskers;
环境压力对硅纳米线及硅微米晶须生长的影响
2) SiC nanorods
碳化硅纳米晶须
1.
A method of two step reactions for Synthesis SiC nanorods has been reported.
采用两步生长法生成碳化硅纳米晶须首先是二氧化硅与硅反应生成一氧化硅，再与碳纳米管先驱体反应生成β－SiC纳米晶须其直径为3～35nm，长度为2～20μm。
2.
A two-step reaction was used for the synthesis of SiC nanorods.
通过XRD、HREM、Raman、PL等检测手段，对生成的碳化硅纳米晶须的形貌、结构等进行了分析研究。
3) Silicon Carbide-Nanorods
纳米碳化硅晶须
4) nano-Si
纳米微晶硅
5) nanosized β-SiCw
纳米级β-碳化硅晶须
6) Nano-meter β-carborundum Whisker
纳米β-碳化硅晶须
补充资料：氮化硅晶须补强碳化硅陶瓷复合材料
分子式：
CAS号：
性质：以碳化硅陶瓷为基体，以氮化硅晶须为增强体的复合材料。它既保留了碳化硅陶瓷优良的耐高温、抗蠕变、抗氧化、抗化学腐蚀、耐磨等性能，又具有比碳化硅陶瓷更高的强度和韧性，最高使用温度可达1400℃以上。由于氮化硅晶须与碳化硅陶瓷基体具有较好的物理相容性，化学性质相近，界面的结合力较强。该复合材料的烧结温度高，界面控制困难，成本高，主要用于航空、航天领域的高温部件。
CAS号：
性质：以碳化硅陶瓷为基体，以氮化硅晶须为增强体的复合材料。它既保留了碳化硅陶瓷优良的耐高温、抗蠕变、抗氧化、抗化学腐蚀、耐磨等性能，又具有比碳化硅陶瓷更高的强度和韧性，最高使用温度可达1400℃以上。由于氮化硅晶须与碳化硅陶瓷基体具有较好的物理相容性，化学性质相近，界面的结合力较强。该复合材料的烧结温度高，界面控制困难，成本高，主要用于航空、航天领域的高温部件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条