结构和输运特性,structure and transport property,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) structure and transport property 点击朗读

结构和输运特性

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2) structure,transport and magnetic properties 点击朗读

结构、输运特性和磁性能

3) magnetic and electrical properties 点击朗读

磁特性和电输运特性

4) transport structure 点击朗读

运输结构

Analysis of regional transport structure and dominant mileage for Jiangsu Province; 点击朗读

江苏省交通运输结构及优势里程分析

Jigang automobile transport corporation separated from iron and steel subject is based on practice,adjusts and optimizes transport structure and takes vigorous action to expand internal transport existence space around the characters of industry,and explores to build good mechanism in motion between mother and son corporations,thus promoting the development of enterprise.

济钢汽运公司与钢铁主体分离后 ,立足实际 ,围绕行业特点 ,调整优化运输结构 ,积极拓展内运生存空间 ,探索建立良好的母子公司运行机制 ,促进了企业的发展。

In the viewpoint of development, this paper has analysed the general trend in the evolution of transport structure, on the basis of which we have brought to light the internal factors of evolution about transport structure.

本文以动态和发展的观点,首先分析运输结构演变的一般趋势,在此基础上,揭示了运输结构演变的内在动因,最后研究了一定条件下运输结构合理化的基准。

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5) transportation structure 点击朗读

运输结构

Paying attention to a problem about sustainable development and changes of transportation structure;

可持续发展与运输结构变动——一个矛盾的揭示

This paper analyzes the influence of transportation structure s variety on transportation supply,the relationship between national economy and railway freight transportation demand,the relation between supply and demand of the railway freight transportation.

分析运输结构变化对铁路货运供给的影响、铁路货运需求与国民经济发展的关系以及铁路货运供需关系。

In the light of the existing problems of road transportation structure in our country at present, this paper analyzes historic significance and occasion of road transportation structure adjustment, puts forwards the effective measures to accelerate adjustment of organizational and management structure.

针对目前我国道路运输结构存在的问题,就道路运输结构调整的历史性和时机性进行了分析,并提出了加快组织结构调整和经营结构调整的有效措施。

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6) structural and optical characteristic 点击朗读

结构和光学特性

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补充资料：半导体的导电与电荷输运

半导体的导电与电荷输运
conductance and charge transport in semiconductor

　　“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一一一、/ r /、式中E为电子能量。对P之0，有 e如果P》n，有肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m*能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。

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参考词条

结构特性和工作原理电输运特性结构特性

粮食生产和运输结构输运特性运输特性结构-运动特性矩阵

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	您的位置：首页 -> 词典 -> 结构和输运特性 1) structure and transport property 结构和输运特性例句>> 2) structure,transport and magnetic properties 结构、输运特性和磁性能 3) magnetic and electrical properties 磁特性和电输运特性 4) transport structure 运输结构 1. Analysis of regional transport structure and dominant mileage for Jiangsu Province; 江苏省交通运输结构及优势里程分析 2. Jigang automobile transport corporation separated from iron and steel subject is based on practice,adjusts and optimizes transport structure and takes vigorous action to expand internal transport existence space around the characters of industry,and explores to build good mechanism in motion between mother and son corporations,thus promoting the development of enterprise. 济钢汽运公司与钢铁主体分离后 ,立足实际 ,围绕行业特点 ,调整优化运输结构 ,积极拓展内运生存空间 ,探索建立良好的母子公司运行机制 ,促进了企业的发展。 3. In the viewpoint of development, this paper has analysed the general trend in the evolution of transport structure, on the basis of which we have brought to light the internal factors of evolution about transport structure. 本文以动态和发展的观点,首先分析运输结构演变的一般趋势,在此基础上,揭示了运输结构演变的内在动因,最后研究了一定条件下运输结构合理化的基准。更多例句>> 5) transportation structure 运输结构 1. Paying attention to a problem about sustainable development and changes of transportation structure; 可持续发展与运输结构变动——一个矛盾的揭示 2. This paper analyzes the influence of transportation structure s variety on transportation supply,the relationship between national economy and railway freight transportation demand,the relation between supply and demand of the railway freight transportation. 分析运输结构变化对铁路货运供给的影响、铁路货运需求与国民经济发展的关系以及铁路货运供需关系。 3. In the light of the existing problems of road transportation structure in our country at present, this paper analyzes historic significance and occasion of road transportation structure adjustment, puts forwards the effective measures to accelerate adjustment of organizational and management structure. 针对目前我国道路运输结构存在的问题,就道路运输结构调整的历史性和时机性进行了分析,并提出了加快组织结构调整和经营结构调整的有效措施。更多例句>> 6) structural and optical characteristic 结构和光学特性例句>> 补充资料：半导体的导电与电荷输运半导体的导电与电荷输运 conductance and charge transport in semiconductor 　　“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一一一、/ r /、式中E为电子能量。对P之0，有 e如果P》n，有肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。说明：*补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条结构特性和工作原理电输运特性结构特性

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