1) nonequivalent systematical overlapping reflections
非等效本征重叠
2) eigenvector equivalence
本征矢等效
3) equivalent eigen strain
等效本征应变
1.
The emerging cause of partial debonding interface was interpreted and the interaction between particles and partial debonding interfaces was accounted for determining the equivalent eigen strains by using four-phase model method.
针对颗粒性陶瓷复合材料内存在局部脱粘界面的现象,通过考虑颗粒夹杂与局部脱粘界面的相互作用,利用四相模型法得到陶瓷颗粒与局部脱粘界面引起的等效本征应变,根据体积平均应变,考虑局部脱粘区域的随机方位得到每个局部脱粘界面引起的应变扰动,计算出局部脱粘界面复合材料的有效刚度。
4) extrinsic photoeffect
非本征光效应
5) low-lying eigenmods of overlap operator
重叠算子的低位本征模
6) overlapping features
重叠特征
1.
This approach makes use of overlapping features to identify the corresponding state of data items and every state is the result of state-state transition and observation-state transition probability.
这种方法能够充分利用数据的重叠特征来辨识数据项对应的状态,结合了统计模型和规则模型的优点。
补充资料：非本征半导体
分子式：
CAS号：
性质：当向半导体中添加受主或施主物质(称为掺杂物)，通过施主型杂质解离向导带注入电子或受主型杂质俘获价带电子产生了自由载流子，使本征半导体产生额外的电导，成为非本征半导体。非本征半导体由于添加受主型杂质或施主型杂质分别成为p型或n型半导体。
CAS号：
性质：当向半导体中添加受主或施主物质(称为掺杂物)，通过施主型杂质解离向导带注入电子或受主型杂质俘获价带电子产生了自由载流子，使本征半导体产生额外的电导，成为非本征半导体。非本征半导体由于添加受主型杂质或施主型杂质分别成为p型或n型半导体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条