1) Wannier exciton
Wannier激子
1.
Binding energies of Wannier excitons in ternary mixed crystals(TMGs) of polar crystals were variationally calculated by taking the interaction between the exciton and two branches of optical phonon modes into account in the modified random-element-isodisplacement(MREI) model.
在无序元胞孤立位移 (MREI)模型下 ,考虑激子与混晶中的两支光学声子的相互作用 ,利用变分法计算了极性三元混晶 (TMCs)中的Wannier激子的结合能。
2.
Using the electron—hole effective potenhal VG(r)derived by Gu Shiwei and two trial wavefunctions, the value of the binding energy of Wannier exciton in TIBr and TICI crystals has been calculated by the present author.
作者采用顾世洧得到的电子-空穴有效作用势VG（r）和2种尝试波函数，计算了TlBr与TlCl晶体中Wannier激子的结合能，所得结果与实验值更加接近，比其他作者所得到的结果有了较大的改进。
2) Localized Wannier Exciton
局域Wannier激子
3) Wannier-Stark tunneling
Wannier-Stark隧穿
4) Wannier Stark ladder
Wannier-Stark阶梯
5) Wannier representation
Wannier表象
6) Wannier-Stark localization
Wannier-Stark局域化
补充资料：Wannier激子（Wannierexciton）
Wannier激子（Wannierexciton）
半导体吸收具有带隙能量的光子时产生的电子空穴对，在低温下没有足够的动能使它们分开，相互靠近的电子、空穴由于库仑互作用而形成的一个束缚态，很像氢原子中的质子与电子那样。Wannier激子的能量为
En=-13.6μ/ε2n2，n为量子数，ε为介电常数，μ是电子和空穴的折合有效质量，它的能级在导带底以下几个毫电子伏范围，因而在半导体的基本吸收边的长波侧可看到几个清晰的激子吸收峰，对应于处在量子数n较低的一些激子状态。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条