1) electron scattering
电子散射
1.
The physical model of electron scattering is based on the us.
电子散射的物理模型则采用Mott散射截面描述电子与原子间的弹性相互作用,以及用介电函数理论描述电子与固体的非弹性相互作用,同时还考虑到了二次电子的级联产生过程。
2.
An electron scattering model is proposed to explain the polarization of AGN(active galactic nuclei) in terms of its specific geometry and particle distribution,for example,Seyfert galaxy.
以赛弗特星系为例,考虑活动星系核的物质成分和特殊几何结构,通过建立电子散射模型来研究活动星系核的光学偏振,给出与观测结果相一致的偏振值,以及偏振度随视角变化的特性,对进一步研究活动星系核的统一模型有一定意义。
3.
First of all, the paper gives summary and analysis the theoretical knowledge of the resolution, electron scattering and electro-optical calculation.
首先,本文对分辨力、电子散射、电子光学计算等的理论知识进行了总结与分析。
2) electrons scattering
电子散射
1.
Monte Carlo method is used to simulate energies and space distributions of low-energy electrons scattering(E_0≤5 keV) in Ni,NiTi and Ti bulks.
采用MonteCarlo方法,模拟了低能电子束(能量E0≤5keV)作用下Ni,Ti及NiTi合金固体中的电子散射,分析了3种金属/合金中散射电子的能量与空间分布。
2.
, Part 1: Simulations on electrons scattering in Al,Ti alloy-plies; Part 2: Mechanical characters of fullerene & fullerene polymeric molecules.
本文研究内容分为两个部分,第一部分:航空铝、钛合金板材电子散射性能模拟;第二部分:研究碳富勒烯及其聚合体的力学特性。
4) backscattered electron
背散射电子
1.
Emission of the backscattered electrons from ultra-thin film on substrate under the action of low-energy beams;
低能束作用下衬底上超薄膜背散射电子发射
2.
Using Monte Carlo method, both emission and spatial distributions of the backscattered electrons(BSEs) of the solids Al,Cu,Ag,Au under the action of low energy electrons with energy E 0≤5*!keV have been simulated and calculated.
应用MonteCarlo方法 ,对能量E0 5keV低能电子作用下固体Al、Cu、Ag、Au的背散射电子发射及表面空间分布作了计算 。
3.
The spatial distribution of backscattered electron in solids have been calculated by Monte Carlo method, based on Mott cross-seCtion for elastic scattering as well as Streitwolf,Quirm and Gryzinski s cross-section for inelastic scattering.
应用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对不同能量低能电子作用下背散射电子在固体中的空间分布作了计算，电子的弹性散射用Ｍｏｔｔ截面描述、非弹性散射按文献［３］的方法由Ｓｔｒｅｉｔｗｏｌｆ。
5) electron-phonon scattering
电声子散射
6) Electron wave scattering
电子波散射
补充资料：非弹性电子散射
具有一定能量的电子与物体发生非弹性碰撞的过程。被散射电子的波长改变（见电子衍射），损失的能量导致物体内部的某些激发效应，其表现形式可以是次级电子、俄歇电子、标识和连续 X射线、热辐射、紫外和可见光区域的光子等，也可以是等离子体激元的激发。
电子与物体相互作用时，把能量转移给物体中的某个电子，称单电子激发。此时，如物体的传导电子获得能量而逸出体外，即产生次级电子，其能量一般小于50电子伏。如原子的内层电子获得能量而离开原子，外层电子填补内层轨道的空位时,将以标识X射线的形式释放其能量；或使一个外层电子逸出体外，即发射一个俄歇电子。对于某些绝缘体和半导体材料，入射电子的能量损失可以使价电子带的电子升入导带,形成一个电子-空穴对。当电子和空穴复合时，以光子的形式释放其能量，称阴极射线发光效应，其能量的大小等于物体导带与价电子带间的能隙。
电子与物体间的相互作用也可同时影响许多电子，激发起整个导电电子气的集体振荡，这些振荡称等离子体激元。
电子在原子的库仑场中运动，经受非弹性碰撞所损失的能量可以转换成连续X射线,称轫致辐射,所发射X射线的能量范围从零到等于入射电子的能量。电子所损失的能量也可以激发物体点阵的振动，转变为热辐射。此?猓缱釉谖锾迥诰芤淮位蚨啻畏堑耘鲎埠螅旧砜梢砸莩鎏逋猓庵值缱映票成⑸涞缱印?
非弹性电子散射过程所产生的各种辐射可作为成分或结构分析的信号。次级电子和背散射电子是扫描电子显微镜中成像的主要信号，它们可以提供试样表面形貌和元素分布信息。标识X射线是X射线波谱仪和能谱仪赖以进行成分分析的信号，俄歇电子用于10埃以内表面层的成分分析。阴极发光光谱可提供带间能隙的信息，连续X射线谱携带了试样中平均原子序的信息,有助于对由轻元素构成的试样进行定量分析的校正，等离子体激元提供了试样中价电子浓度的信息。
当电子穿透薄膜试样时，非弹性散射所导致的电子能量损失谱也有助于进行试样的成分和结构分析，它和非弹性散射过程所发射的辐射是互补的。低能区（低于50电子伏）的能量损失源自等离子体激元的激发，高能区（高于50电子伏）源自原子内层电子的电离。高能区的电子能量损失谱称电离损失谱，可用于元素分析，与X射线波谱和能谱相比,电离损失谱更宜于作轻元素分析。电离损失谱有时有几十至几百电子伏的起伏，称扩展电离损失谱精细结构谱,它和扩展X射线吸收精细结构谱相类似，能提供近邻原子间距和配位数的信息，有助于研究非晶态薄膜的结构。电子能量损失谱分析技术和应用尚在发展中。
电子与物体相互作用时，把能量转移给物体中的某个电子，称单电子激发。此时，如物体的传导电子获得能量而逸出体外，即产生次级电子，其能量一般小于50电子伏。如原子的内层电子获得能量而离开原子，外层电子填补内层轨道的空位时,将以标识X射线的形式释放其能量；或使一个外层电子逸出体外，即发射一个俄歇电子。对于某些绝缘体和半导体材料，入射电子的能量损失可以使价电子带的电子升入导带,形成一个电子-空穴对。当电子和空穴复合时，以光子的形式释放其能量，称阴极射线发光效应，其能量的大小等于物体导带与价电子带间的能隙。
电子与物体间的相互作用也可同时影响许多电子，激发起整个导电电子气的集体振荡，这些振荡称等离子体激元。
电子在原子的库仑场中运动，经受非弹性碰撞所损失的能量可以转换成连续X射线,称轫致辐射,所发射X射线的能量范围从零到等于入射电子的能量。电子所损失的能量也可以激发物体点阵的振动，转变为热辐射。此?猓缱釉谖锾迥诰芤淮位蚨啻畏堑耘鲎埠螅旧砜梢砸莩鎏逋猓庵值缱映票成⑸涞缱印?
非弹性电子散射过程所产生的各种辐射可作为成分或结构分析的信号。次级电子和背散射电子是扫描电子显微镜中成像的主要信号，它们可以提供试样表面形貌和元素分布信息。标识X射线是X射线波谱仪和能谱仪赖以进行成分分析的信号，俄歇电子用于10埃以内表面层的成分分析。阴极发光光谱可提供带间能隙的信息，连续X射线谱携带了试样中平均原子序的信息,有助于对由轻元素构成的试样进行定量分析的校正，等离子体激元提供了试样中价电子浓度的信息。
当电子穿透薄膜试样时，非弹性散射所导致的电子能量损失谱也有助于进行试样的成分和结构分析，它和非弹性散射过程所发射的辐射是互补的。低能区（低于50电子伏）的能量损失源自等离子体激元的激发，高能区（高于50电子伏）源自原子内层电子的电离。高能区的电子能量损失谱称电离损失谱，可用于元素分析，与X射线波谱和能谱相比,电离损失谱更宜于作轻元素分析。电离损失谱有时有几十至几百电子伏的起伏，称扩展电离损失谱精细结构谱,它和扩展X射线吸收精细结构谱相类似，能提供近邻原子间距和配位数的信息，有助于研究非晶态薄膜的结构。电子能量损失谱分析技术和应用尚在发展中。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条