1) optical nonlinearity
光学非线性
1.
Shape influence of granular inclusions on enhancement of optical nonlinearity;
颗粒形状对光学非线性增强的影响
2.
The third order optical nonlinearity of the glass was improved evidently through 4f electrons exciting.
在碲铌锌系统玻璃中引入稀土离子,利用其4f电子的跃迁提高谐波光子激发的可能性,从而提高玻璃的三阶光学非线性。
3.
Femtosecond time-resolved OKE measurements revealed that the response time of the optical nonlinearity in SnO 2/PVA thin film is extremely fast as short as 50?fs.
报道了用飞秒光克尔实验系统测量镶嵌在聚乙烯醇 (PVA)薄膜的二氧化锡 (SnO2 )纳米晶簇的光学非线性的实验结果 ,平均粒径为 10nm和 2～ 3nm的SnO2 晶簇的三阶非线性极化率 χ(3)分别为 4 30 1× 10 -14 和 1 72 8× 10 -13esu ,并对其原因进行了分析。
5) optical nonlinear
光学非线性
1.
Theoretical and experimental analysis on the laser beam Z scan technique,which can be used to measure the signs as well as the magnitudes of the optical nonlinear susceptibility,is presented in this paper.
本文对近年来倍受关注的用于光学非线性材料非线性系数的符号及大小测量的重要手段——激光Ｚ扫描技术，从实验到理论进行了全面的论述。
6) Nonlinear optics
非线性光学
1.
New progress in nonlinear optics in chiral molecular media;
手性分子介质非线性光学研究新进展
2.
Two new two - dimensional charge transfer (2DCT) chromophore molecules for nonlinear optics (NLO) were designed and synthesized with pyridinium as electron acceptor group.
设计、合成了以吡啶阳离子为吸电子基团的二维电荷转移非线性光学生色团分子——双四苯硼(反式)-4,4’-二{p-[N-乙基-N-羟乙基)氨基]苯亚乙烯基}-N,N’-(1,2-乙基)-2,2’-联吡啶盐和双四苯硼(反式)-N-己基一咔唑-3,6-二(p-亚乙烯基-N-羟乙基-吡啶盐),利用超瑞利散射技术(HRS)测定了这两种分子的第一超极化率β,在1064nm分别为786×10~(-30)esu和1770×10~(-30)esu。
3.
The recent progress in the fnctional high performance polymers and their uses as separating membrane, conductive polymers, nonlinear optics and transparent materials is described.
对高性能聚合物功能化及分离膜、导电、非线性光学、透光材料等功能材料的研究进展作了较为详细的介绍。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条