1) ternary compounds
三元化合物
1.
Ternary compounds MeI AgI (Me:K,Rb,Cs) thin films were grown by vacuum evaporation.
介绍了用真空蒸发技术制备三元化合物体系MeI AgI(Me :K ,Rb ,Cs)中各种材料薄膜的工艺过程 ,为实现不同温度下的光谱测量 ,设计了真空低温测量装置 ,测定并初步分析了薄膜在液氮温度下的激子谱及其规
2) ternary compound
三元化合物
1.
The structure,composition range and phase equilibrium of a ternary compound T_1 at the low Nd side in the Mg-Zn-Nd system have been investigated by SEM,EPMA,XRD and TEM.
利用扫描电镜,电子探针、X射线衍射仪和透射电镜对Mg-Zn-Nd系低Nd三元化合物T_1相的成分、结构及其相平衡关系进行了研究。
2.
It has been shown that the ternary compounds T2 and T3 exist in the Mg-rich corner of the Mg-Zn-Nd system.
3%的三元化合物T2相,和成分范围为Mg:25。
3) ternary carbide
三元碳化合物
1.
The ternary carbide Ti_3AlC_2 ceramic powders with high content have been successfully fabricated by mechanical alloying using Ti,Al and C as starting powders.
采用Ti,Al和C元素粉末为反应物原料,通过机械合金化法成功地制备出高含量三元碳化合物Ti_3AlC_2陶瓷粉体。
2.
The singe phase ternary carbide of Ti2AlC1 x was first successfully synthesized through a combustion synthesis process by using Ti, Al and C powders as raw materials.
采用Ti,Al和C元素粉末为反应物原料,通过燃烧合成法首次成功地制备出了单相三元碳化合物Ti2AlC1-x。
4) ternary compound T'
三元化合物T'
1.
The ternary compound T' alloy that is stable single phase from room temperature to 400 has been obtained according to the stoichiometrical composition gained by thermodynamic calculation.
按热力学计算得到的Al5Cu4Zn的化学计量比成分,可以获得由室温至400℃均为稳态单相的三元化合物T＇相合金。
5) three mixed complex
三元混配化合物
6) Ternary heteropoly compound
三元杂多化合物
补充资料：三元化合物半导体材料
分子式：
CAS号：
性质：由三种已确定的原子配比形成的化合物并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为三元化合物半导体。黄铜矿型化合物半导体材料是典型的三元化合物半导体材料。如CdGeP2、CuAlS2、AgGaS2等，这些三元化合物半导体是直接跃迁型材料，而且有些材料禁带宽度大，有希望用来研制可见发光二极管。
CAS号：
性质：由三种已确定的原子配比形成的化合物并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为三元化合物半导体。黄铜矿型化合物半导体材料是典型的三元化合物半导体材料。如CdGeP2、CuAlS2、AgGaS2等，这些三元化合物半导体是直接跃迁型材料，而且有些材料禁带宽度大，有希望用来研制可见发光二极管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条