1) zinc and iron-codoped lithium niobate crystal
锌铁双掺铌酸锂晶体
2) zinc and cobalt double-doped lithium niobate crystal
钴锌双掺杂铌酸锂晶体
3) lithium niobate with co-doping of holmium and zinc crystal
钬锌双掺铌酸锂晶体
4) Zn doped LiNbO 3 crystal
掺锌铌酸锂晶体
5) indium and iron doped lithium niobate crystal
双掺铟铁铌酸锂晶体
6) Cu/Fe co-doped lithium niobate crystal
铜铁双掺铌酸锂晶体
补充资料：二磷化硅锌晶体
分子式：ZnSiP2
CAS号：
性质：周期系第Ⅱ,IV,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分,属正方晶系黄铜矿型结构。为复式晶格,直接带隙半导体,室温禁带宽度2.20eV。电子迁移率1×10-2m2/(V·s)。熔点1370℃。掺入铜、硒、碲成n型材料。采用布里奇曼法、区域熔炼法等方法制备。为可见光发光材料。
CAS号：
性质：周期系第Ⅱ,IV,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分,属正方晶系黄铜矿型结构。为复式晶格,直接带隙半导体,室温禁带宽度2.20eV。电子迁移率1×10-2m2/(V·s)。熔点1370℃。掺入铜、硒、碲成n型材料。采用布里奇曼法、区域熔炼法等方法制备。为可见光发光材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条