1) silica-titania binary
SiO2-TiO2二元材料
1.
It was found thatamorphous TiO2was dispersed in the network of SiO2,forming a stable and chemical homogeneous silica-titania binary material.
通过溶胶-凝胶法制备了SiO2-TiO2二元材料和聚甲基丙烯酸丁酯(PBMA)/(SiO2-TiO2)杂化材料,并进行了结构表征。
2) SiO2-Y2O3-TiO2 hybrid materials
SiO2-Y2O3-TiO2复合材料
1.
SiO2-Y2O3-TiO2 hybrid materials were prepared by stearic acid gel method.
利用硬脂酸凝胶法制备了SiO2-Y2O3-TiO2复合材料。
3) Nanometer TiO 2/SiO 2 composite material
纳米TiO2/SiO2复合材料
4) poly(butyl methacrylate) /silica-titania hybrid material
聚甲基丙烯酸丁酯/(SiO2-TiO2)杂化材料
5) Alumina-silica materials
Al2O3-SiO2材料
6) phosphosilicate material
P2O5-SiO2材料
1.
Proton-conducting phosphosilicate materials were fabricated by Sol-Gel technique.
结果表明,材料具有微孔结构,含有水分子和形成氢键的质子;在30~70℃,P2O5-SiO2材料电导随温度的升高、磷含量的增加而提高,电导率可达10-2S。
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条