1) OLED
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有机发光器件
1.
Influence of Annealing Treatment on ITO Surface and OLED Performances;
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退火处理对ITO表面特性及有机发光器件性能的影响
2.
Efficient electron transport in organic light-emitting diodes(OLEDs)was demonstrated.
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采用该混合层作为共基质电子传输层制备了结构为[ITO/m-MTDATA/NPB/Alq3/Liq(33%)∶Bphen/LiF/Al]的有机发光器件,基于共基质电子传输层的器件驱动电压比传统器件降低了13%而效率却提高了21%。
3.
This thesis includes two parts of works: Thin films packaging for organic emitting light devices (OLED)" and "The research of carbon nanotubes field emission displays (CNT-FED)".
本论文主要包括“有机发光器件的薄膜封装”及“碳纳米管场发射显示器的研究”两部分工作。
2) organic light-emitting devices
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有机发光器件
1.
Energy transfer in PtOEP doped Alq_3 organic light-emitting devices;
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PtOEP掺杂Alq_3有机发光器件的能量传递
2.
Top-emitting organic light-emitting devices (OLEDs) offer a feasible fabrication of OLED displays on opaque substrates, such as Si wafers and active-matrix backplanes with complicated pixel circuits of thin-film transistors and integrate circuit.
为了更好地实现有机发光器件在硅片上的有源矩阵显示,有必要探讨在硅片上直接制作透明阴极的顶发射有机发光器件。
3.
This thesis is devoted to the study of surface and interface problems in organic light-emitting devices (OLEDs) by means of photoelectron Spectroscopy (PES), especially synchrotron radiation PES.
作者在博士生阶段致力于以光电子能谱、特别是同步辐射光电子能谱为主要实验技术研究有机发光器件中的各类表面与界面问题,具体内容集中在以下三个方面: 一、研究了有机发光器件中有机与无机材料间的界面,着重探讨双亲分子硬脂酸钠(C_(17)H_(35)COONa)缓冲层改善金属/Alq有机层界面特性的机理问题。
3) organic light-emitting device
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有机发光器件
1.
To investigate effective means of improving the efficiency of organic light-emitting devices(OLEDs)by making full use of triplet emission,a phosphorescent material Pt(II)Octaethylporphine(PtOEP)is doped into polymer host polyspirobifluorene(Spiro)to allow radiative recombination of triplet excitons.
为了利用有机三线态发光提高有机发光器件的发光效率,用磷光材料掺杂到聚合物主体中作为发光层,制备有机电致发光器件。
2.
We demonstrate a pure-blue tandem organic light-emitting device(OLED) employing the blue fluorescent emitter,ter(9,9-phenylfluorene) fluoride(TPFF).
可见,采用叠层结构是制备高亮度高效率的深蓝色有机发光器件的一种有效方法。
3.
A novel tandem organic light-emitting device (OLED) was demonstrated employing WO3 thin film as charge generation layer and its thickness was optimized.
研究了采用薄层WO3作为叠层有机发光器件电荷产生层时的性能并对其厚度进行了优化,器件的电荷产生层由Li掺杂的电子注入层和高透明的WO3组成。
4) organic light emitting device
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有机发光器件
1.
These effects can be used to improve the electroluminesence(EL) performances of organic light emitting device(OLED).
利用这些腔效应,可以改善有机发光器件的性能。
5) organic light emitting diode
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有机发光器件
1.
Four blue organic light emitting diodes(OLED) based on anthracene derivatives(ADN) doped with different dopants have been prepared.
以ADN为基质,分别以不同掺杂剂制备了四种蓝色有机发光器件,器件结构为:CuPc(12 nm)/NPB(40 nm)/AND∶Dopant(50 nm)/Alq(12 nm)/LiF(4 nm)/Al。
6) organic light emitting devices
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有机光发射器件
补充资料:半导体负阻发光器件
用发光材料制造的具有正向电压负阻型的结发光二极管,其正向υ-I特性呈S形(图1)。当正向电压达到导通电压υS时,二极管由高压关态(高阻态)经过负阻过程达到低压通态(低阻态)。描述正向电学导通特性的主要参数是:导通电压υS;导通电流IS;维持电压υH;维持电流IH;导通时间τon;关断时间τoff。描述发光特性的参数与一般发光器件相同。常用的结构有PNPN型及 PIN型。所用材料为GaAs、GaInAsP、GaP、GaAsP等。PIN型器件的电性能和发光性能不佳。PNPN型负阻发光器件的电导通原理,可用等效双晶体管模型的电学正反馈作用来描述。用某种方式使二极管导通(电导通或光导通)后,由于少数载流子注入到发光有源区,产生辐射复合发光(包括受激发射)。
一个良好的PNPN负阻发光器应满足两方面的要求。①电学上的完全导通:即在正向通态时,由于中间PN结两侧载流子存储作用使该结变成正偏置,这时整个二极管压降应为一个简单的PN结大注入时的结压降,例如GaAs应为1.5伏左右。这时,器件具有最大的通态电流密度和最小的结功耗,称为电学完全导通。②良好的发光特性:除了材料的质量要求外,在结构上应使发光区有良好的载流子限制和光限制,使之具有高的发光效率。采用适宜的多层异质结构,可能使这些要求得到兼顾。
对器件结构的这两项要求,可用双晶体管模型来分析(图2)。
在整个负阻区和通态区,完全导通的条件是:
α1+α2>1
式中 α1和α2是第一晶体管和第二晶体管的共基极直流短路电流放大系数,它们分别与各自的发射结注射效率γ、基区输运系数β、收集结收集效率α*有关:α1=γ1·β1·α;α2=γ2·β2·α(在接近υS电压下还须考虑雪崩倍增作用)。通常选取第一晶体管的基区作为发光区。为使从发射结注入到有源区的少数载流子的限制作用完全有效,则β1应为零,即第一晶体管发射结注入基区的载流子不能达到收集区,这时,在中间PN结两侧的载流子存储不足以构成电学正反馈作用,只能类同于单个晶体管,不产生负阻或由于雪崩倍增作用产生二极管端压降很高的负阻通态。因此,为使完全电导通特性和发光特性能较好地统一起来, 应尽可能增大γ1、γ2、β2,不能使β1完全等于零但接近于零,从而使α2尽可能接近于1,α1接近于零但不等于零。例如,对于GaAlAs/GaAs异质结对,能较好满足上述要求的器件结构为N-Ga1-xAlxAs/P-GaAs/P-Ga1-yAlyAs/ P-GaAs/N-GaAs/P-Ga1-zAlzAS(x≥0.2,y≤0.2,z≈0.1)。这种结构的激光器,电导通性能良好,激射特性也很接近于一般双异质PN结激光器。
器件用作开关激光器时,激射阈电流密度应小于器件本身提供的通态最大电流密度。器件导通可采用电触发、光触发等方式。适当选择电路负载,在光触发时器件具有光学放大、双稳及开关作用。这类器件一般选用GaAlAs/GaAs,GaInAsP/InP等制造。
这种器件电路简单,调制容易,可借以实现多功能,适用于通信、自动控制、发光显示等方面。
一个良好的PNPN负阻发光器应满足两方面的要求。①电学上的完全导通:即在正向通态时,由于中间PN结两侧载流子存储作用使该结变成正偏置,这时整个二极管压降应为一个简单的PN结大注入时的结压降,例如GaAs应为1.5伏左右。这时,器件具有最大的通态电流密度和最小的结功耗,称为电学完全导通。②良好的发光特性:除了材料的质量要求外,在结构上应使发光区有良好的载流子限制和光限制,使之具有高的发光效率。采用适宜的多层异质结构,可能使这些要求得到兼顾。
对器件结构的这两项要求,可用双晶体管模型来分析(图2)。
在整个负阻区和通态区,完全导通的条件是:
式中 α1和α2是第一晶体管和第二晶体管的共基极直流短路电流放大系数,它们分别与各自的发射结注射效率γ、基区输运系数β、收集结收集效率α*有关:α1=γ1·β1·α;α2=γ2·β2·α(在接近υS电压下还须考虑雪崩倍增作用)。通常选取第一晶体管的基区作为发光区。为使从发射结注入到有源区的少数载流子的限制作用完全有效,则β1应为零,即第一晶体管发射结注入基区的载流子不能达到收集区,这时,在中间PN结两侧的载流子存储不足以构成电学正反馈作用,只能类同于单个晶体管,不产生负阻或由于雪崩倍增作用产生二极管端压降很高的负阻通态。因此,为使完全电导通特性和发光特性能较好地统一起来, 应尽可能增大γ1、γ2、β2,不能使β1完全等于零但接近于零,从而使α2尽可能接近于1,α1接近于零但不等于零。例如,对于GaAlAs/GaAs异质结对,能较好满足上述要求的器件结构为N-Ga1-xAlxAs/P-GaAs/P-Ga1-yAlyAs/ P-GaAs/N-GaAs/P-Ga1-zAlzAS(x≥0.2,y≤0.2,z≈0.1)。这种结构的激光器,电导通性能良好,激射特性也很接近于一般双异质PN结激光器。
器件用作开关激光器时,激射阈电流密度应小于器件本身提供的通态最大电流密度。器件导通可采用电触发、光触发等方式。适当选择电路负载,在光触发时器件具有光学放大、双稳及开关作用。这类器件一般选用GaAlAs/GaAs,GaInAsP/InP等制造。
这种器件电路简单,调制容易,可借以实现多功能,适用于通信、自动控制、发光显示等方面。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条