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1)  electric field simulation
电场模拟
1.
Experimental study and electric field simulation of a UHV saddle field gauge with a CNT field emitter;
碳纳米管冷阴极超高真空鞍场规的电场模拟与实验研究
2.
The methodology of simulation analysis for structural design of the DEP microchip is discussed,and much more attention is paid to the optimation process of microchip structural parameters by the way of electric field simulation.
分别对芯片电极结构设计所采用的模拟分析进行了归纳和综述,重点探讨了如何通过电场模拟分析手段对芯片结构参数进行优化,分析了流体分布与热效应对芯片效能的影响,列举了不同电极结构设计的DEP芯片的工作效率及实际应用效果。
2)  analogue electrostatic field
模拟电场
3)  electric field simulated method
电场模拟法
4)  mimic electrostatic field
模拟静电场
1.
The article focuses on the analysis of possible causes for errors in experiments for mimic electrostatic field in terms of specific resistance of the conductive dielectric,air humidity,and the internal resistance from the electric meters.
本文主要从导电介质的电阻率、空气湿度、电表内阻等几个方面,分析模拟静电场实验的误差原因以及解决的办法。
5)  static field analogue
静电场模拟
6)  electric current field simulation
电流场模拟
补充资料:变电所工频电场


变电所工频电场
electric field of substation

  b一ond一onsuo gongPln dlonehong变电所工频电场(eleetrie field of substation) 变电所运行时各种带电导体上的电荷和在接地架构上感应的电荷在变电装置所处广大空间产生的工颇电场。由于变电所内带电导体纵横交错,带电设备和接地架构多种多样,变电所内的工频电场是一个复杂的三维场分布,它的表征、计算和测量较输电线路复杂。翰电线下离地Zm以内电场变化很小,可以认为是均匀的,一般可用离地1.sm处场强来表征该点电场水平。变电所内大部分区域,由于带电体和接地架构同时并存,离地Zm以内电场变化很大,为准确的表征某点电场水平,需要同时给出地面、离地0.sm和离地1.sm三个场强值。对330 kV及其以上电压等级的变电所,工频电场的限值是设计时应考虑的主要条件之一。为了预计新建变电所电场水平和分布,一般采用将变电所按一定比例缩小,所加电压也按比例缩小,用模拟的方法来预测,也可采用计算的方法。表征变电所的电场分布,可给出地面或离地面一定高度的等场强线、大于某一场强的高场强区或给出典型间隔和设备纵向或横向电场分布。 变电所工作人员接近带电高压设备的机会多,场强限值除要考虑暂态电击和稳态电击外,还要考虑电场长期作用可能的生态效应。但由于变电所工作人员通常均具有防止暂态和稳态电击知识,且每天在较高电场中停留的时间不长,因此各国都将变电所内的允许工频电场定得比线路邻近居民区和跨越公路处的要高。对运行人员经常巡视或检测必经的地方,一般规定为小于8 kV/m,其他地方则不大于10 kV/m,少数地区允许最大场强为10~15kV/m。而变电所围墙处场强则不大于skV/m。为满足这些要求,除适当提商带电体对地高度外,有时还采用合理安排带电体的排列以及并列或重叠回路的相序等措施,从结构布t上减小地面电场。500 kV及以上的新变电所投运后,一般都要对变电所内电场进行一次全面测量,绘出高场强区的范围和电场分布。为避免火花放电引燃可燃气体,在变电所的工频电场区内禁止进行加人或取出汽油的作业。
  
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