1) Low energy electron beam
低能电子束
1.
The refraction effect of metallic potential well on low energy electron beam diffraction is investigated and a new method for measuring the depth of metallic potential well is given by using low energy electron diffraction.
研究了低能电子束在金属中衍射时势阱对电子束的折射效应 ,给出了一种用低能电子衍射法测定金属势阱深度的新方法 ,并以Cu ,Al和Ag膜为例计算了LEED(lowenergyelectrondiffraction)的折射效
2.
Poly(D,L-lactic acid)-co-poly(ethylene glycol)copolymer(D,L-PLEG)synthesized by melt poly- condensation was irradiated using low energy electron beam(EB)in the presence of triallyl cyanu- rate(TAC)and tetraallyl pentaerythritol(TAPE)as crosslinking agents.
通过直接熔融缩聚法合成聚乳酸-聚乙二醇共聚物(D,L-PLEG),以三氰尿酸三烯丙酯(TAC)和四烯丙基季戊四醇(TAPE)为交联剂,采用低能电子束(EB)照射处理共聚物。
3) Low-energy electron beam lithography
低能电子束曝光
4) low-energy electron beam monitor
低能电子束监测器
6) Low energy ion beam
低能离子束
1.
Magnetic Fe-Si alloy films prepared by low energy ion beam technique;
低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜
2.
Low energy ion beam (4×10 5ion/cm 2) mutagenizing and breeding was available to improve the yield by 20%.
用低能离子束诱变的方法得到了几株布洛芬乙酯水解活性提高的突变菌株 ,用 4× 10 5ion/cm2 剂量的低能离子束诱变菌株CandidasorboxylosaT2P可提高S 布洛芬的产量2 0 %左右。
3.
In this paper,the author summaried the mutational mechanism of low energy ion beam,the applications of it in forest tree,horticulture and flower breeding,and the applications of genetic transformation techniques mediated by low energy ion beam implantation.
低能离子束物理诱变育种技术有着广泛的应用前景。
补充资料：低能电子
分子式：
CAS号：
性质：电子电离源中常规的电子能量为70eV。低于此能量的电子称为低能电子。低能电子条件下不会发生的高能反应，降低了分子离子的平均内能，容易获得较大丰度的分子离子峰。
CAS号：
性质：电子电离源中常规的电子能量为70eV。低于此能量的电子称为低能电子。低能电子条件下不会发生的高能反应，降低了分子离子的平均内能，容易获得较大丰度的分子离子峰。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条