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1)  surface roughening
表面粗化
1.
Effect of surface roughening on the manufacture and performance of IPMC;
表面粗化工艺对IPMC的制备及性能的影响
2.
The dynamic scaling method was used to characterize the surface roughening of two kinds of films.
用磁控溅射工艺分别在Si和Al2O3衬底上沉积两种不同织构组分的多晶柱状Cu膜,基于动力学标度方法表征两种薄膜的表面粗化特征。
2)  etched surface
粗化表面
1.
Characteristic parameters ralated to peeling off strength and smouth finish of plated metallic coating of etched surface of electroplatable plastics were found out by using submicroscopic ana-lytical method.
运用亚微观分析手段,找出电镀塑料粗化表面与镀层剥离强度及表面光洁度有关的参数,选用具有特定颗粒形状、粒径尺寸和粒径分布的无机填料对聚丙烯共混改性,取得了预期的效果。
3)  surface roughened treatment
表面粗糙化
1.
This paper introduces research status of domestic and overseas hydrophobic coating;summaries domestic and overseas preparation methods including low- surface energy resin,surface roughened treatment technology and combined method;discusses the use situation of lotus effect in this field;and points out the problems and development trends.
总结了国内外利用低表面能树脂、表面粗糙化处理技术以及二者相结合的疏水涂层制备方法。
4)  surface rough growth
表面粗化生长
5)  surface texture technology
表面粗化技术
6)  Ceramic surface roughening treatment
瓷表面粗化处理
补充资料:表面粗糙化


表面粗糙化
surface roughening

  表面粗糙化surfaee ro眼hening在一定温度以上晶体表面由原子尺度上的光滑平面向粗糙表面转变的现象。晶体表面的粗糙化在宏观上表现为晶体平衡外形中对应奇异取向的光滑面的消失,在微观上可用台阶自由能变为零和表面厚度的无限增大来描述。 在低温下,奇异面是原子尺度光滑的。表面上所有原子有序排列,没有自吸附原子或空位。在足够高温下,有的原子跳迁到表面上面一层,形成自吸附原子,并在原表面内留下空位。更高温度下,自吸附原子连成平台,空位连成空缺,甚至在大平台上有小平台,大空缺下有小空缺,形成多层的表面缺陷结构,即粗糙表面。用蒙特一卡洛方法计算机模拟得到简单立方结构(001)表面随温度升高而变化的形貌如图所示。 参量衡量表面粗糙化的参量有下列几种: ①表面位置涨落 、尹 11 了r、、l丁蚀<(编一<编>)’>二有限值(光滑表面)=co(粗糙化后)式中扬。为表面某定点(取为原点)上的高度,A为表面积,<>表示对表面组态平衡分布的统计平均值。 ②高度相关函数 G(r)=<(h。一瓜l)“>(2)h。、瓜‘分别表示表面上坐标为(l’,;’)和(k.l)两点的高度,r为两点间距。当r一co,光滑表面的G(r)~2<(扬。一)2>,而粗糙化后G(r)~co。 ③相关长度睿,即两点间相关程度衰减的有效距离 ,n(<‘“。一“,’>一2<(俪一‘煽>,2>卜一含‘3,光滑表面睿为有限值,粗糙化后睿寸co ④表面厚度 W=〔G(R)〕‘,2(4)R是表面上相距最远的两点距离。W在粗糙化后也趋于无穷大。 理论研究表面粗糙化是首先从理论上提出的。1951年伯顿等人应用二维伊辛模型最先预言了这一转变。指出处于与蒸气、熔体或溶液平衡的晶体,在某个转变温度下其奇异面由光滑变为粗糙。杰克森应用三维晶格气体模型和单层平均场近似推导出简单立方结构{001}面的表面自由能 :一斋-一(卜x)+与xlnx+(卜x)In(卜x)](5) 乙a‘a一a-式中(一£:)和(一。2)分别为与平面平行方向和垂直方向上相邻原子间的键能,a为原子间距,x为表面上一层中自吸附原子所占有坐位的分数,k为玻耳兹曼常数,T为热力学温度。在平衡态,x的取值应使y取极小值。分析7对x的关系可知,低温下(。1/kT>2)下极小值对应x二0和x、1,即只含极少数自吸附原子的光滑突变表面为稳定的;高温下(。
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