1) holmium doped zinc tungstate
掺钬钨酸锌晶体
2) lithium niobate with co-doping of holmium and zinc crystal
钬锌双掺铌酸锂晶体
3) Ho:YVO 4 crystal
掺钬钒酸钇晶体
4) neodymium and cerium co-doped zinc tungstate crystal
共掺铈钕钨酸锌晶体
5) ZnWO_4 crystal
钨酸锌晶体
6) magnesium and holmium codoped lithium niobate crystal
双掺镁钬铌酸锂晶体
补充资料：二砷化硅锌晶体
分子式：ZnSiAs2
CAS号：
性质：三元化合物半导体。有一定离子键成分的共价键结合。属正方晶系复式晶格。晶格常数为α=0.5611 nm，c=1.0886nm。直接带隙半导体。室温禁带宽度1.74eV，一般为p型材料，空穴迁移率1.4×10-2m2/(V·s)。熔点1096℃。可用布里奇曼法、区域熔炼法、定向凝固法等制备。为非线性光学材料。
CAS号：
性质：三元化合物半导体。有一定离子键成分的共价键结合。属正方晶系复式晶格。晶格常数为α=0.5611 nm，c=1.0886nm。直接带隙半导体。室温禁带宽度1.74eV，一般为p型材料，空穴迁移率1.4×10-2m2/(V·s)。熔点1096℃。可用布里奇曼法、区域熔炼法、定向凝固法等制备。为非线性光学材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条