1) The general draw down formula
压降通式
2) on-state voltage drop
通态压降
1.
Simulation results show that the total amount of impurity in the buffer layer or transparent an- ode is the key to determine the on-state voltage drop of GCT device.
模拟结果表明,缓冲层与透明阳极各自区域中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素。
2.
Simulation results show that the doping profile and width of P base region are important to the on-state voltage drop of Gate Controlled Thyristor.
模拟结果表明,P基区的掺杂浓度和宽度对门极换流晶闸管通态压降有着重要的影响。
3) forward voltage drop
通态压降
4) forward voltage drop
导通压降
1.
This makes it a low forward voltage drop and high switch speed,and resolves the contradiction between on resistance and turning off time effectively.
这种结构使得功率输出级低侧管导通时工作于IGBT模式 ,关断过程中工作于MOS模式 ,因而具有导通压降小、关断速度快的优点 ,有效地解决了功率管导通电阻和关断速度之间的矛盾 。
5) formula of pressure drop
压降公式
6) Voltage dropping pattern
降压方式
补充资料：通式
1.表示同一类化合物分子组成的公式。 2.通常的样式。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条