1) electron trapping material
电子俘获材料
1.
Research on compound short wave infrared detector by electron trapping material
利用电子俘获材料研制复合型短波红外探测器
2.
Progress in studies of electron trapping material in recent years was reviewed.
着重介绍了电子俘获材料光存储机制 ,以及各种材料的存储特性 ,并探讨了存在的问题。
3.
High efficiency and portable cards for infrared laser detection have been made of electron trapping material by using various expertiese and tested on many conditions,such as waterlogging at high and low temperature.
我们利用稀土直接掺杂工艺 ,通过向带隙宽为 4～ 5ｅＶ的ⅡＡ ⅥＡ族化合物中掺入稀土离子Ｅｕ、Ｓｍ ,合成了电子俘获材料 (ＥＴＭ ＥｌｅｃｔｒｏｎＴｒａｐ ｐｉｎｇＭａｔｅｒｉａｌ)ＣａＳ :Ｅｕ ,Ｓｍ。
2) electron trapping materials
电子俘获材料
1.
Properties of Traps in Electron Trapping Materials;
电子俘获材料中陷阱的特性研究
2.
By means of projecting a reference light and measuring the light on the photocathode of a streak camera, the minimum excited threshold in electron trapping materials can be measured.
０６４μｍ超短红外脉冲激光激励下，采用参考光和测量光同时入射的测量方案，利用一台可见光条纹相机进行了电子俘获材料ＣａＳＥｕ，Ｓｍ的红外最小可激发阈值的研究，结果表明：在可见光条纹相机最小可探测能量密度Ｊｍｉｎ＝８。
3.
By projecting double pulses on the photocathode of a streak camera, the optically stimulated luminescence (OSL) from electron trapping materials such as CaS∶Eu, and Sm, stimulated with a single 19.
在经过标定的ＮｄＹＡＧ激光器产生的超短红外脉冲激光激励下，采用双光束入射、单脉冲测量方案，利用可见光条纹相机研究了电子俘获材料ＣａＳＥｕ，Ｓｍ的红外上转换发光情况，结果表明：在λ＝１。
3) low-capture material
(中子)低俘获材料
4) electron trapping
电子俘获
1.
Methods of electron trapping correction in CdZnTe coplanar-grid detector;
CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法
2.
In conclusion, electron trapping material is.
用固相反应法制备了SrS :Eu ,Sm电子俘获材料 ,根据电子俘获材料可存储、可擦除及饱和特性等实现了在图像存储、布尔逻辑运算及图像微分等方面的应用 。
3.
The rare earth electron trapping optical storage is new type storage technology.
电子俘获光存储技术是一种新型的存储技术,它突破了现有的光存储介质的存储机制,可实现大密度稳定可重复擦写存储。
5) Electron trapping materials
电子俘获
1.
Optical IPA(Interpattern association) neural network model is implemented using CaS(Eu, Sm) electron trapping materials synthesized by the authors.
报道用自行研制的ＣａＳ（Ｅｕ，Ｓｍ）电子俘获材料表示互联权重矩阵以实现光学ＩＰＡ神经网络模型。
6) electron capture
电子俘获
1.
Auger electron energies and their absolute intensities calculation associated with electron capture decay;
伴随电子俘获衰变的俄歇电子能量及强度计算
2.
By using 4π△Eβ-γ coincidence technique, the γ intensity of neutron-deficient nuclides followed by electron capture is strongly suppressed, but the coincidence efficiency about γ line followed by 100% β- decay in neutron-rich Hgnuclides reaches highly 60%.
利用４π△Ｅβ－γ符合的技术使缺中子核素中来自电子俘获的γ线强度受到了很大的抑制，而对以１００％β－方式衰变的丰中子Ｈｇ同位素的γ线具有６０％的符合探测效率。
3.
Taking the nuclide 55Co and 54Mn as examples,the rate of Gamow-Teller transition electron capture of the crusts of Neutron stars were in a strong magnetic field investigated.
以核素55Co和54Mn为例,讨论了强磁场下的中子星外壳层Gamow-Teller跃迁(G-T)电子俘获率。
补充资料：电子俘获
一般分成两类。一类是原子或离子通过媒质时获得电子的机制。这是原子和离子在媒质中损失动能并减速的重要原因，从而影响入射的原子和离子在媒质中的射程。当入射的带电粒子的速度和媒质中电子的速度具有相同量级时，发生电子俘获的几率较大，因此在粒子射程的末端，电子俘获的发生较为频繁。对于带有大量正电荷的裂变碎片，则在它整个减速过程中都有电子俘获发生。中性的氢原子通过轻元素组成的媒质时，单位距离路程的能量损失约为质子在同样情形下能量损失的一半。
另一类是电子被原子核俘获，称为电子的核俘获或K俘获。K俘获是原子核从最靠近它的 K电子壳层俘获一个电子而转变为核电荷数比原来的值小 1的新核的机制，此过程中,核还要发射一个中微子。K俘获是β衰变的逆过程。发生K俘获的几率与K壳层电子处于核附近的寿命有关，核电荷数Z值较大的核,电子波函数在核中心区的值也较大，因而发生K俘获的几率也比轻核大。K俘获是电子的场与核场间相互作用的结果。
还可能发生一种二阶过程，即原子K壳层的s电子被核俘获的同时,伴随着L壳层一个p电子跃迁到K壳层而产生γ跃迁。
另一类是电子被原子核俘获，称为电子的核俘获或K俘获。K俘获是原子核从最靠近它的 K电子壳层俘获一个电子而转变为核电荷数比原来的值小 1的新核的机制，此过程中,核还要发射一个中微子。K俘获是β衰变的逆过程。发生K俘获的几率与K壳层电子处于核附近的寿命有关，核电荷数Z值较大的核,电子波函数在核中心区的值也较大，因而发生K俘获的几率也比轻核大。K俘获是电子的场与核场间相互作用的结果。
还可能发生一种二阶过程，即原子K壳层的s电子被核俘获的同时,伴随着L壳层一个p电子跃迁到K壳层而产生γ跃迁。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条