1) laser annealing
激光退火
1.
During laser annealing, with the increasing of the power density, the peak ratio ID/IG of Raman spectra of an a－ C:H film without nitrogen in－ creases and the peak of graphite shifts from 1550 to 1598 cm－ 1, indicating that the film has graphi－ .
由于 C－ N键的键能比 C－ H键的键能大得多，因此在激光退火过程中 C－ N 键不易分解。
2.
They include laser doping, laser annealing, laser depositing film, solid-phase reaction induced by laser and laser photolithograph.
这些应用大致涵盖激光掺杂、激光退火、激光沉积薄膜、激光引发固相反应和激光光刻等几方面。
3.
Nanocrystalline silicon carbon(nc-SiC)from amorphous silicon carbon films have been obtained through XeCl excimer laser annealing.
采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜(nc-SiC),并对薄膜的喇曼光谱和光致发光(PL)特性进行了分析。
2) Low temperature laser-annealing
低温激光退火
3) laser scan annealing
激光扫描退火
4) ArF excimer laser annealing
ArF准分子激光退火
5) surface free technology by laser annealing
激光退火表面释放技术
6) Excimer laser annealing
受激准分子激光退火(激光再结晶)
补充资料：激光退火
激光退火
laser annealing
激光退火laser annealing用激光对材料进行退火。又称激光处理。E.1.什图尔科夫(Shtyrkov)等于1976年提出用激光对离子注入的半导体进行退火，以消除注入损伤和激活注入杂质。此法被广泛用于金属和绝缘体等各种材料的退火处理。 激光退火分脉冲激光退火和连续波激光退火两种。激光退火过程是在激光辐照下注入损伤层的再结晶过程。一般脉冲激光退火是液相结晶过程，而连续波激光退火是固相结晶过程。激光退火一般是一种热过程。但是对脉冲激光退火过程的解释有两种:①热熔化模型。认为激光辐照使样品表面层在高温下熔化，然后结晶。②非热模型。认为在极窄的激光脉冲作用下，样品表面温度不超过300一400℃，发生的不是热熔化再结晶过程，而是非热的二类相变过程。 离子注入激光退火法在20世纪70年代末就已受到广泛重视。因为激光辐照可以对材料局部进行短时间高温处理，防止了传统热退火中出现的杂质再扩散和热缺陷的产生。激光退火杂质激活率很高，甚至可大大超过杂质的固溶度。但是，脉冲激光辐照在半导体中引入深能级缺陷，而且激光退火均匀性较差，效率也较低，在器件生产中逐渐被后发展的瞬时热退火所取代。但是超窄脉冲激光在材料科学研究中却有了新的发展。许多材料在脉冲宽度小于微微秒(甚至小至10~’5秒)的激光作用下，发生非平衡过程，材料的许多特性与平衡状态差异很大，是材料科学研究中的一个重要方向。 (鲍希茂)
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参考词条