1) thermionic emission
热电子发射
1.
The thermionic emission cooling employing hetero structure is a high efficient cooling method.
基于异质结结构热电子发射的热电制冷,是近年来提出的一种高效制冷方法。
2.
Based on the thermionic emission theory of the current density of 4H-SiC Schottky barrier diodes under the forward bias, the calculations for the Schottky barrier height eff and the specific on-resistance R on are presented.
在分析 4H SiC肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上 ,计算了肖特基势垒高度eff和串联电阻Ron。
2) thermoelectron emission
热电子发射
1.
This paper,by applying the theory of probability statistics,explains the relationship between the emission current I and the interelectrode voltage U in the thermoelectron emission phenomene,and then gives the expression of their relationship:I=ImΦ (aU＋ b).
本文应用概率统计的理论对热电子发射现象中发射电流 I和两极间电压 U之间的关系进行了解释，得出它们的关系是： I=ImΦ (aU＋ b)，并给出关于参数 Im、 a、 b的确定方法。
3) hot electron emission
热电子发射
1.
In this paper,the deviation of the linear F-N behavior is explained according to the hot electron emission of carbon nanotubes film due to heating during FE and phase shifts in the wave function of the tunneling electrons due .
讨论了热电子发射、量子隧穿导致的位相改变对发射电流的影响,分析了场发射电流、位相的变化,解释了高场区发射电流曲线偏离的原因。
4) thermal electron
热(发射)电子
5) electron thermal emission
电子热发射
6) thermionic emission
热电子放射;热离子发射;热电子发射
补充资料：热电子发射
| 热电子发射 thermionic emission 加热金属使其中大量电子克服表面势垒而逸出的现象 。与气体分子相似，金属中的自由电子作无规则的热运动，其速率有一定的分布。在金属表面存在着阻碍电子逃脱出去的作用力，电子逸出需克服阻力作功，称为逸出功（旧称功函数）。在室温下，只有极少量电子的动能超过逸出功，从金属表面逸出的电子微乎其微。一般当金属温度上升到1000℃以上时，动能超过逸出功的电子数目急剧增多，大量电子由金属中逸出，这就是热电子发射。若无外电场，逸出的热电子在金属表面附近堆积，成为空间电荷，它将阻止热电子继续发射。通常，以发射热电子的金属丝为阴极，另一金属板为阳极，其间加电压，使热电子在电场作用下从阴极到达阳极，这样不断发射、不断流动，形成电流。随着电压的升高，单位时间从阴极发射的电子全部到达阳极，于是电流饱和 。 许多电真空器件的阴极是靠热电子发射工作的。由于热电子发射取决于材料的逸出功及其温度，应选用熔点高而逸出功低的材料如敷钍或敷铯的钨丝来做阴极。 除热电子发射外，靠电子流或离子流轰击金属表面产生电子发射的，称为二次电子发射。靠外加强电场引起电子发射的称为场效发射。靠光照射金属表面引起电子发射的称为光电发射。各种电子发射都有其特殊的应用。 |
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参考词条