2) content of Re
掺杂W-Re丝
3) W doping at Mn site
Mn位W掺杂
1.
The influences of W doping at Mn site on the magnetic structure of CaMn_(1-x)W_xO_3(x=0.
通过对样品磁化强度-温度(M-T)曲线、磁化强度-磁场强度(M-H)曲线、电阻率-温度(ρ-T)曲线及部分样品ESR谱的测量,研究了Mn位W掺杂对CaMn1-xWxO3(x=0。
4) N/W co-doped
N/W共掺杂
5) doped
[英][dəup] [美][dop]
掺杂
1.
Preparation of TiO_2 doped Fe~(3+),La~(3+) and its photocatalytic performance;
镧和铁掺杂纳米TiO_2的制备及其光催化性能
2.
Influence of Co-doped on the Photocatalytic Activity of K_2Nb_4O_(11);
掺杂Co对K_2Nb_4O_(11)光催化性能的影响
3.
Preparation of proton acid doped polyaniline and its gas-sensing properties;
质子酸掺杂聚苯胺的制备及其常温气敏性能
6) dope
[英][dəʊp] [美][dop]
掺杂
1.
Study on the structure of La-doped SrBi_4Ti_4O_(15);
La掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)结构影响研究
2.
Research on Nd-doped Barium Titanate Powder Prepared by Hydrothermal Synthesis;
水热法制备钕掺杂BaTiO_3粉体及其介电性能研究
3.
Preparation and fluorescence properties of polyaniline doped with [CrMo_6O_(24)H_6]~(3-);
[CrMo_6O_(24)H_6]~(3-)掺杂聚苯胺材料的制备及荧光性质
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条