1) oblique sputtering
倾斜溅射
1.
Study on the effect of oblique sputtering on TbFe thin films by MFM;
利用磁力显微镜研究倾斜溅射对TbFe薄膜磁性能的影响
2.
The oblique sputtering technology has been applied in fabrication of TbFe thin film to reduce the in-plane saturation magnetic field Hg,.
TbFe磁致伸缩薄膜在实际应用中要求易磁化轴平行于膜面,以具有较低的面内饱和场H(?),传统的成膜技术难以实现这一目标,采用倾斜溅射方法制备TbFe薄膜可有效降低面内饱和场H(?)。
2) oblique angle magnetron sputtering
斜入射磁控溅射
3) tilted incidence
倾斜入射
1.
The characteristic of thin film narrowband filters used in tilted incidence is described.
对倾斜入射时窄带薄膜滤光片的特性作了描述 ,由于低折射率间隔层的滤光片 ,倾斜入射时 p偏振分量的通带比s分量更移向短波 ,而高折射率间隔层的滤光片则反之 ,因此可把间隔层同时设计成高、低折射率两种材料 ,或选用适当的中间折射率材料 ,使p分量和s分量两个通带的中心波长重合。
2.
Compression effect of angular width for polarizing beam splitter under tilted incidence is caclulated.
从理论上计算了由于光束倾斜入射产生的棱镜起偏系统角谱宽度的压缩效应 ,计算结果表明 ,入射光束相对于棱镜入射面的入射角越大对角谱宽度的压缩就越明显 ,不同材料的基底折射率的差别对角谱宽度的压缩影响不大。
4) sloping line
倾斜射线
1.
The traditional algorithm for checking point in polygon is not convenience,then a convenience algorithm——sloping line method is presented.
介绍了一个易于实现的点包容性检测算法——倾斜射线法,其特点是射线不会与多边形的顶点或边重合,无须作特殊情况的处理,需计算的区域小,因而计算量小。
2.
A convenience algorithm for point and line in polygon test,sloping line method is provided,the characteristic of this method is that the sloping line is not match together with any peak or edge of polygon,no special situation is needed processing,the computation is decreased.
以倾斜射线法检测点的包容性,其特点是此射线不与多边形的顶点或边重合,无须作特殊情况的处理,计算区域小,因而计算量小,对自相交多边形及带孔多边形等多类情况同样适用。
5) oblique launching
倾斜发射
1.
The results show that the combat effectiveness of vertical launching mode is higher than that of oblique launching mode.
结果表明,垂直发射方式的作战效能比倾斜发射方式要高。
6) oblique incidence
倾斜入射
1.
Influence of substrate on shielding effectiveness of metallic mesh under oblique incidence condition;
倾斜入射条件下衬底对金属网栅屏蔽特性的影响
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条