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1)  Protonation effect
质子化效应
2)  photoprotonic effect
光质子效应
3)  single event effect induced by proton (PSEE)
质子单粒子效应
4)  quantum mechanical effects (QME)
量子化效应
1.
The quantum mechanical effects (QME) on deep submicr.
通过在三角势垒近似下求解薛定谔方程,应用费米统计建立了MOSFET亚阈区经典的和量子力学的载流子分布模型,并从器件开启的实质出发,提出了一种适用于量子力学理论的开启电压定义,进而计算了经典理论和量子力学理论下的亚阈区载流子分布和亚阈区电流,系统研究了量子化效应对深亚微米MOSFET亚阈区特性的影响。
5)  polaron effect
极化子效应
1.
Influences of temperature and polaron effect on the ground state of quasi-two-dimensional strong-coupling exciton;
温度和极化子效应对准二维强耦合激子基态的影响
2.
The influences of lattice vibration and polaron effects on the ground state and the excited state of the system,for which the exciton is strongly coupled with interface-optical (IO) phonons but weakly or intermediately coupled with bulk-longitudinal-optical (LO) phonons in a quantum well,are studied using the linear-combination operator and the LLP variational method.
采用线性组合算符法和LLP变分法研究了晶格热振动和极化子效应对量子阱中激子与界面光学(IO)声子强耦合又与体纵光学(LO)声子弱、中耦合体系的基态和激发态的影响,推导出作为量子阱宽和温度函数的激子基态能量的移动和第一内部激发态能量的移动的表达式,以AgCl/AgBr/AgCl量子阱为例进行了数值计算。
3.
Within the framework of the effective-mass approximation, hydrogenic impurity states and the polaron effect in the strain GaN/Al_xGa_(1-x)N cylindrical wurtzite quantum dot are investigated by considering the influence of infinite barriers.
本文在有效质量近似下,研究了无限高势垒纤锌矿结构应变GaN/Al_xGa_(1-x)N柱形量子点中的杂质态和极化子效应。
6)  polaronic effect
极化子效应
1.
A modified LLP variational method is adopted to discuss the polaronic effect on the binding energy of an impurity in an infinite quantum well by considering the pressure and screening effects.
考虑压力及屏蔽效应,同时计入量子阱结构中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子)的作用,利用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用,讨论有限深量子阱中极化子效应对杂质态结合能的影响。
补充资料:“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强


“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强


  物理学术语。原子核外层中不成对的电子质量小,但磁动性很强,可使局部磁场波动增强,促使氢质子弛豫加快,从而使T1和T2缩短,这种效应即为PEDDPRE。过渡元素和镧系元素大部分在d和f轨道有多个不成对电子,所以其离子往往具有PEDDPRE,可用来作顺磁性对比剂,如钆(Gd)。Gd在外层有7个不成对电子,具有很强的顺磁性。
  
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参考词条