1) thermal interface material
热接口材料
1.
The development of the new soft thermal interface materials was presented.
介绍了两种国际上最新型的软质热接口材料的研制过程,对其中的配方、工艺等内容进行了讨论。
2.
The study of one of the thermal interface materials filled with copper pwoder was presented .
对高性能热接口材料进行了研究。
2) VUMAT
材料本构接口
1.
A kind of thermoplasticity constitutive equation and void ductile damage criteria with temperature softness effect were imported to ABAQUS/Explicit with its material interface(VUMAT).
利用ABAQUS/Explicit模块所提供的材料本构接口VUMAT,将一种含损伤热塑性本构方程和微空洞延性损伤准则引入其中,以圆柱壳在外爆载荷下破坏问题为例,进行了数值模拟,将壳体破裂时的一些参数与实验进行了比较,包括破裂时间与平均环向应变,结果基本相符,说明所采用的方法可行有效。
4) dental materials
口腔材料
1.
With the development of science and technique,the dental materials have been improved quickly in our country.
随着科学技术的发展，我国的口腔材料也得到迅猛地发展。
5) seal materials
封口材料
1.
Calculation and measurement of aerated rate of seal materials for plant tissue culture;
组培封口材料透气率的测定与计算
补充资料：半导体材料热处理
半导体材料热处理
heat treatment of semiconductor material
热处理也被用于提高GaAs均匀性。半绝缘砷化稼单晶锭在85。一950’C和氮或氮+砷气氛下整锭退火后，电子迁移率从<4。。ocmZ/(V·S)提高到>40oocm“/(V·S)，电阻率不均匀性将由50%降到<30%。若经高温(一200℃)淬火、低温(650一550℃)退火和中温(950℃)退火三段热处理后，过饱和砷均匀核化，深施主EL:将均匀分布，使材料的均匀性得到大的改善。对于离子注入的GaAs晶片，需在氮或氮+砷气氛中，消除辐照损伤和注入离子，提高它的激活率，并用热处理检验半绝缘砷化稼的热稳定性。把无包封的GaAS晶片面贴面放置，并在850℃和氮气氛下退火30min，若电阻率大于5只lo6n·。m，则热稳定性优良。 (翟富义马碧春)bond00t一Coi}500 reChU}l半导体材料热处理(heat treatment of。emi- conduetor material)在 特定的气氛、压力等条件下，按 照一定的温度程序，对半导体单 晶锭或晶片进行热处理的半导 体材杆制备过程中的一个重要 工序。按冷却速度不同，可分为 退火和淬火。经热处理的材料， 因其中杂质、缺陷状态和分布发’ 生变化以及应力的释放，将引起 电学、光学和力学性能变化。它 是一种改变材料性能的有效和 简便的工艺方法。 硅单晶在冷却过程中，在 45。‘C附近将形成硅氧复合体， 具有施主性质，被称为热施主， 它的存在将影响电阻率值。为获 得真实的电阻率，必须消除热施 主，可将硅单晶放在氮或氮+氧 气氛中经550~750℃热处理后 快速冷却，使其失去电活性。再经100。℃以上的高温处理，则可消除晶体在75。℃滞留产生的新施主，从而得到高品质的硅单晶。对于中子擅变掺杂后的硅单晶，需在惰性气氛下，于75。℃以上退火，可消除辐照损伤和激活擅变的磷原子。对于硅抛光片需经过高温(>1000℃)、低温(650~500℃)、再高温(>1。。。℃)三步热处理后，则可实现硅中氧的本征吸除效应，在晶片近表面形成洁净区。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条