1) TiO_2-ZnO sol
TiO2-ZnO溶胶
2) TiO2/ZnO compound water sol
TiO2/ZnO水溶胶
3) ZnO sol-gel
ZnO溶胶-凝胶
1.
A simple and effective tyrosinase biosensor was developed based on the immobilization of tyrosinase in a positively charged ZnO sol-gel matrix on a glass carbon electrode.
通过使用带正电荷的ZnO溶胶-凝胶在玻碳电极表面固定酶,研制了一种简单有效的酪氨酸酶传感器。
4) TiO2 sol
TiO2溶胶
1.
A series of doped TiO2 sol were prepared by adding different ions such as Cu2+,Zn2+,I-,and Ag+ respectively,and their bactericidal performances were tested by coated on culture utensil of glass.
在TiO2溶胶中分别引入Cu2+、Zn2+、Ag+及I-等离子,比较上述各种溶胶所制涂层的室内灭菌性能,得出Ag+可显著提高TiO2的室内灭菌性能。
2.
A series of TiO2 sol and poly [-methyl methacrylate-copoly-3-(trimethoxysilyl)propyl methacrylate]-TiO2 hybrid materials was systhesised by Sol-Gel method.
以钛酸四异丙酯(TTIP)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MTMS)为原料,用溶胶-凝胶法制备了一系列不同粒径的TiO2溶胶及不同TiO2含量的聚(甲基丙烯酸甲酯-共聚-γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)/TiO2杂化材料,通过动态激光光散射、红外吸收光谱、原子粒显微镜对TiO2溶胶及其杂化材料进行了表征。
3.
Fe3+ doped TiO2 sol was prepared using TiCl4 by hydrolytic precipitation method and was charac- terized by XRD and IR.
以TiCl4为原料,用沉淀法制备了Fe3+掺杂的TiO2溶胶,并利用XRD(X衍射谱)和IR(红外光谱)对掺杂溶胶进行了表征。
5) TiO_2-SiO_2 sol
TiO2-SiO2溶胶
6) TiO2 hydrosol
TiO2水溶胶
1.
The TiO2 thin films were prepared from anatase TiO2 hydrosol by the dip coating method,the as-prepared thin films was characterized by TEM and Raman scattering spectrum.
利用所制备的锐钛矿型TiO2水溶胶提拉法成膜,用Raman和TEM分析了TiO2薄膜的晶型和基团结构。
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条