1) transparent conducting mechanism
透明导电机理
1.
This paper specially describes the transparent conducting mechanism and the latest researching progress in preparation methods of TCO thin films.
综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的应用和发展,重点阐述了TCO薄膜的透明导电机理以及制备工艺的最新研究进展,同时对其研究和应用前景进行了展望。
2) transparent conductive
透明导电
1.
Research and development of flexible transparent conductive films;
柔性透明导电薄膜的研究现状、应用及趋势
2.
F sputtering method is employed to deposit ZnO:A1 film on PET flake in this paper,The experiment results show that the deposition pressure has great influence on the surface morphology, structure, electric and optical properties of Zinc Oxide transparent conductive film.
采用射频溅射方法在聚脂 (PET)胶片上沉积ZnO∶Al薄膜 ,实验结果表明沉积压强对氧化锌透明导电薄膜的表面形貌、结构、光电性能等有较大的影响 ,在低的沉积压强下薄膜具有很好的(0 0 2 )结构 ,有优良的光、电综合性能。
3.
At first the development of transparent conductive oxide film is summarized and the advantages of aluminium doped zinc oxide (AZO) film are discussed in this paper.
本文首先对透明导电薄膜(TCO)的发展进行了总结，讨论了铝搀杂氧化锌薄膜(AZO)的性能优点，之后对AZO薄膜的晶体结构、搀杂、制备方法、用途进行了综合描述，并指出了透明导电薄膜的发展趋势。
3) transparent mechanism
透明机理
1.
Investigation on preparation and transparent mechanism of MgAl_2O_4 transparent nario-ceramics;
MgAl_2O_4纳米透明陶瓷的制备及其透明机理
2.
This article stated the properties of the kenaf mulch, optical properties and transparent mechanism of paper and discussed the methods of improving the transparent performance of the kenaf mulch and the choice of the transparencizing agents.
简述了红麻原料制膜特性,纸页的光学性质及透明机理,探讨了红麻地膜透明性能改善的途径和方法及透明剂的选择。
4) transparent conductive films
透明导电膜
1.
Study on Ga_2O_3 deep ultraviolet transparent conductive films with Al nano-interlayer
纳米Al夹层Ga_2O_3深紫外透明导电膜的研究
5) transparent conductive film
透明导电膜
1.
Transparent conductive film was prepared by dip coating method with sol-gel.
采用溶胶凝胶法浸渍提拉工艺制备透明导电膜,并考察了Sb3+的掺杂量、膜的厚度、热处理温度对薄膜电阻的影响,以及不同的处理方法对薄膜透过率的影响,制得透明导电膜的电阻率最低可达ρ=16×10-3Ω·cm,薄膜连续性、致密性好,平均透光率达到90%以上。
2.
In this paper,resent progress of transparent conductive film technology and its quality is reviewed,and its developing prospects are concluded.
论述了透明导电膜工艺及其发展水平,对其发展方向提出了展望。
3.
Effects of the conductivity of transparent conductive film on the optically transparent band-pass frequency selective surface (FSS) are investigated by using Galerkin s method in the spectral domain.
运用谱域Galerkin法对光学透明带通频率选择表面(FSS)进行了分析计算,研究了透明导电膜的电导率对光学透明带通FSS频率选择特性的影响。
补充资料：半导体材料导电机理
半导体材料导电机理
conduction mechanism in semiconductor
bandaot{eall旧0 daodianJ}l-半导体材料导电机理(。onduetion meeha-nism in semieonduetor)半导体导电的特异性能是由它的导电机理决定的。半导体材料中除中子外还存在着带正电荷的空穴。在外电场作用下，电子和空穴漂移运动引起导电。电子和空穴统称载流子。导体的电阻R(n)可表示成 D_丝 R一卜于 S式中L为导体的长度，。m;S为导体的截面积，cmZ;尸为电阻率，n·cm。尸是表征导电能力大小的物理量。p的倒数，为电导率，以日一’·cm一’表示。I~v/R为熟知的欧姆定律，其微分形式为电流密度j(A/mZ) ]一aE式中E为某点的作用电场，V/m疥为比例系数。电流密度还可表示成 j=nq vd式中、为电子浓度，Cm一3;q为电子电荷，c;乱为平均漂移速度，。m/s。半导体中产生载流子的途径有两种:(l)本征激发:在温度的作用下，电子从价带顶直接激发到导带底，产生电子一空穴对，因此电子浓度等于空穴浓度，一p一n，，nlocT3/2‘勺ZKT，式中E:为禁带宽度;K为玻耳兹曼常数;T为绝对温度，K;n、为本征载流子浓度，cm一3，它强烈依赖于温度T。(2)杂质电离:浅能级施主杂质电离后，贡献电子给导带。室温下，施主掺杂浓度ND大于ni，主要是电子起导电作用，称为n型半导体，电子是多子，空穴是少子。反之，受主电离后，贡献空穴给价带，主要是空穴起导电作用，为p型半导体，空穴是多子，电子是少子。定义迁移率产一}剖，恙，式中:是平均漂移速度，。/s;二是夕卜电场强度，V/m。即单位电场作用下的平均漂移速度，表示载流子在外场作用下运动的难易程度。载流子在运动过程中，不断受到散射，川mZ/V·s)与散射的平均自由时间r成正比，有下列关系 产二共式中q为电子电荷，C;m‘为有效质量，kg。:是散射的平均自由时间，s。散射主要有:(1)晶格散射，考虑其中的声学波散射，迁移率与温度的关系可表示成产，ccT一3/2。(2)电离杂质散射，迁移率与温度和电离杂质浓度N:的关系可表示成产.oc洲/2/N;。半导体的电导率为 n型:。。=nq产n p型:。p一Pq脚混合型:。，nq群n+Pq脚式中。为电子浓度，cm一3;p为空穴浓度，cm一3;肠为电子迁移率，cmZ/v·。;产。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条