补充资料：氢化法制取钽粉

氢化法制取钽粉
production of tantalum powder by hydrogenation method

q inghuafa zhiqu tonfen氢化法制取担粉(produetion Of tantalumpowder by hydrogenation method)在高温下用氢气使金属钮氢化脆裂生产担粉的过程。过程仅涉及金属担的吸氢、脱氢制粉而无化学提纯作用，原料的纯度直接影响产品质量。采用高纯钮氢化制取的高压电容器级担粉，纯度高，粒形平整，比表面积大，物理和电性能好，可用于制造电压在63V以上的高压固体性能钮电容器。这种高压固体担电容器应用于航天、航空和电子工业部门。此法亦可用于从含钮(锐)残料中回收金属担(锐)。 原理担和氢的反应是可逆放热反应，其反应速率比妮、错、钦与氢气的反应速率慢，反应温度始于613K，到733K时吸氢速率增加很快，913K以后吸氢速率减慢。金属担氢化生成的TaH二在真空下加热至约lo73K温度时迅速分解放出氢气。氢压力为0.IMPa时其在担中的溶解度为:温度T/K 147312731073873673573473293 溶解度/em3·g一‘1 1.4 1.5 7 25 53 41 46钮吸氢有吸附、扩散和溶解三种形式。担和氢的反应速小电容器阳极烧结时的收缩率，需进行两次真空凝聚率与氢的压力成正比。钮吸氢后晶格膨胀，如TaHO 76热处理。两次真空凝聚热处理的真空度为66.smPa，温的密度由纯担的1664kg/m3减小至zslokg/m3，这种度分别为lo23K和1773K，时间均为Zh，即可获得高随体积增大同时产生内应力的过程加速了TaH二的脆压电容器用担粉。这种担粉杂质含量为:c<3只裂，层层裂开成片状Ta瓦屑。另外，金属担表面的氧10一3%，N<3丫10一3%，0<。.2%，Nb<3又103%，化膜会严重阻碍其吸氢反应。51<一丫20一3%，Mn、Cu、Ni、Fe、Cr、Ti、Zr等均 工艺主要由预处理、氢化和后处理三部分组成。小于6又10一‘纬。钮粉的平均费氏粒径为8一9拜m。用预处理是将钮锭置于含HF40%的溶液中，在室温下63v钮粉制成电容器的比电容为2000一2800拜F·v/浸泡24一28h，使其表面活化;而钮条的表面活化则采g，漏电流小于。.smA八F·v)，击穿电压高于3()0V。用在约1473K温度下进行真空热处理的方法(见担粉氢化法是目前生产高压电容器用钮粉的唯一方真空热处理)。将经过表面活化预处理的钮锭或担条装法。所用原料有两种，一种是用钠热还原法生产的冶金入不锈钢反应罐中，放在电阻炉后通入高纯氢气并加级钮粉(见钠热还原法生产担粉)，经真空烧结和电子热至约lo73K温度，然后用分段降温制度进行氢化。束熔炼后制得的高纯钮锭;另一种是用碳还原法生产采用把管扩散法或优、钦等活性金属吸附法制取纯度的钮粉(见碳热还原法生产锐)，经真空垂熔烧结制得在99.99%以上的高纯氢气，这种氢气含氧、氮均低于的高纯担条。电子束熔炼设备费用高，但生产量大，适3义10‘%。氢化时的氢气压力为0.1~0. ZMPa，氢化于大批量生产，目前国际上大都采用这种生产方法。近担的含氢量控制在。.3%一。.4%。电子束熔炼制取的年来由于氢化法制取担粉工艺的不断改进，高压电容大直径钮锭可以直接氢化爆裂成片状的TaH二屑。氢化器用担粉的性能也在不断提高，目前美国等国家已生所得的TaH二屑经磨细制粉后，用含HC 118纬的溶液产了比电容2000~8000拜F·v/g的高压高比电容钮煮洗除铁，水力分级成不同粒度的粉末，调配混合均粉系列产品，如用63V高压担粉制成的电容器的比电匀，最后在真空护中进行真空脱氢和凝聚热处理。为减容可达3000一4000扛F·V反，20世纪90年代将提高王4000~6nnn_n一

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。