1) medical laser
医用激光
1.
Study on medical laser of lower power standard equipment;
医用激光小功率标准装置的研究和建立
2.
First of all,medical laser markets in the world and in China are reviewed.
本文首先评述医用激光的国内外市场，然后详细分析国内医用激光仪器与激光医学研究前沿和国外的差距，最后提出产业化的若干具体建议。
2) medical laser
医用激光器
1.
The principle of laser medicune is reviewed from the viewpoint of developing new medical laserand choosing medical laser, with the focus on photobiomodulation and laser surgery.
从发展新型医用激光器和选购医用激光器的角度综述了激光医学的原理,重点放在光生物调节作用和激光外科方面。
3) laser source for medicine
医用激光源
1.
The assurance mode from laser source for medicine is brought forward based on the three-tier mode of the whole assurance system in equipment of scientific research that is in the measurement of quality control personnel, engineering technique personnel and operator.
借鉴医用激光源的保障模式提出了基于计量检定人员、工程技术人员、操作使用人员的对科研设备的全程质量计量保障体系的三级模式。
4) medical laser equipment
医用激光设备
1.
This article details the contents of the manual of a medical laser equipment.
详述了医用激光设备说明书应有的内容,供编写说明书时参考。
5) CO 2 medical laser instrument
C02医用激光器
1.
The application and improvement of CO 2 medical laser instrument is describeed in detail.
对C02医用激光器在实际工作中的具体应用和改进作了详细介绍。
6) medical laser printer
医用激光相机
补充资料：光记录和存储用半导体激光材料
光记录和存储用半导体激光材料
semiconductor laser materials for optical recording and storage
光记录和存储用半导体激光材料semiconduc-tor laser materials for oPtieal reeordiflg and storage用于制作光盘写入与读出的激光二极管的半导体材料。各种光盘常用激光二极管的发射波长和主要性能见表1。实用的激射0.78#m、0.82召m波长的光记录和存储用半导体激光材料有AIGaAs/GaAs，InGaAsP/InGaP/GaAs。 组成和性能AIGaAs、 InGaAsP、InGaP、GaAs同属111一V族化合物半导体。AIGaAs、InGaP是由AIAs、GaAs和InP、GaP二元化合物按一定比例组成的三元系化合物。InGaAsP是由InP、GaAs和GaP或InAs组成的四元系化合物。这些材料的晶体均为立方晶系闪锌矿结构，重要晶面有(1 00)、(l 10)和(111)，其中(110)为自然解理面。表1光盘用半导体激光二极管性能┌──────┬─────┬────┬────┬───┐│俞鹦 │视频光盘 │声频光盘│数据光盘│打印 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│波长(召m) │0 .78 │0 .78 │0 .82 │0 .78 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│输出功率 │5 │5 │20一30 │5 ││ (mw) │ │ │ │ │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│方向性(比率)│2一3 │2一3 │2一3 │2一3 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│象散(一，m) │<10 │<10 │<3 │<2 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│相对强度噪声│<5X10一14 │<10一11 │<10一11 │ ││ │ │一10一12│一10一”│ │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│寿命(小时) │>2X104 │)2X104 │)2火104 │>2X104│└──────┴─────┴────┴────┴───┘ AlxGal一xAs(x(0 .45)，InGaP，Inl一x GaxAs，-Pl一y、GaAs晶体能带均为竖直跃迁结构，具有很高的发光效率。其发光波长取决于他们的禁带宽度。
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