1) Chemical cross-linking induced micellization
化学交联反应诱导胶束化
2) coupled chemical reaction
化学反应交联
1.
By means of the stochastic thermodynamic formalism of finite chemical reaction systems under the influence of external noise,the effective master equation and the effective stochastic entropy balance equation are set up for a simple coupled chemical reaction system with membrane equilibrium.
根据受噪声作用的有限化学反应系统的随机热力学理论，以存在膜平衡交联的简单反应模型为例，建立了交联体系的有效主方程及有效随机熵平衡方程，进而阐释了这类体系中有效熵产生的统计内涵，初步揭示出内涨落和来自化学反应交联的外噪声的随机热力学效应。
3) photochemistry and photoinduced reaction
光化学与光诱导反应
5) anaphylaxis/chemically induced
过敏反应/化学诱导
6) airway hyperreactivity/chem ind
气道高反应性/化学诱导
补充资料：化学束外延
化学束外延
chemical beam epitaxy
20世纪80年代中期发展出来的。它综合了MBE的超高真空条件下的束外延可原位监测和MOCVD的气态源等优点。与CBE相关的还有气态源分子束外延(GSMBE)和金属有机化合物分子束外延(MOMBE)。它们间的主要区别是采用的气态源的情况不同。以nl-V族材料的生长为例，GSMBE是用气态的V族氢化物(A sH3、PH3等)取代MBE的固态As、P作源材料，AsH3、PH3等通过高温裂解形成砷、磷分子;MOMBE则是用111族金属有机化合物(TEGa、TMAI、TM玩等)作源材料，它们的气态分子经热分解形成Ga、Al、In等原子，CBE则是V族和m族源均采用上述的气态源。掺杂源可用固态，也可用气态。 CBE的生长过程是m族金属有机化合物分子射向加热的衬底表面、热分解成m族原子和碳氢分子根，再与经高温裂解后形成和到达衬底的V族原子反应，其生长速率取决于衬底温度和m族金属有机化合物分子的到达速率。 CBE采用质量流量计控制气源流量精确稳定，响应速度快，重复性好。CBE使用的几种m族潦和V族源都先分别混合，再输入生长室射向衬底表面，使外延层的厚度和组分的控制精度、界面陡变度、大面积均匀性和重复性等均优于MBE，并适于多片外延。CBE还可消除MBE因使用固态Ga源而产生的椭圆缺陷。CBE工作真空小于或等于10--‘托，气源可保持束特性、衬底表面附近没有粘滞层，避免了MOCVD反应管内影响外延层均匀性的“气体流型”问题和自掺杂效应。 利用CBE技术已制备出许多优质的半导体材料和器件，它特别适合于生长MBE难以生长的具有高蒸气压的磷化物材料。化学束外延InP、InGaAs为迄今所用各种外延方法制备的材料中性能为最好的，并已研制出一系列高性能的InGaAs(P)/I nP量子阱光电子器件。 (孔梅影)____‘1“、。:，am ePltaxy在分子束外延(MBE)和金属有机化合物气相沉积(M()CVD)基础上女巨翻亦的薪的栩右巨幼魁士琴姑安忿拐，产n”~
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参考词条