1) nonlinear oscillation
非线性振荡
1.
Study on nonlinear oscillations of electric power system;
电力系统非线性振荡研究
2.
Principle analysis of nonlinear oscillation in DC dive system;
直流传动系统非线性振荡机理分析
3.
A study on the nonlinear oscillation in a system simulating an immune response;
关于一个免疫反应系统的非线性振荡
2) non-linear oscillation
非线性振荡
1.
A kind of natural non-linear oscillation phenomenon on the surface of many solid materials is observed.
在许多固态材料的表面存在着一种天然的非线性振荡花样,这些花样经计算机图像处理在时间和空间上呈现明显的分形特征。
2.
To prove the theory of the non-linear oscillation mechanism about "quasi-fluid", the metallographic structures of Cu-Zn-Al alloy were observed and studied with the optical microscope and the atom force microscope(AFM).
为了揭示固体“类流态”的非线性振荡机理,利用普通的光学显微镜、原子力显微镜(AFM)对Cu-Zn-A l合金表面金相组织进行了观察和研究。
3.
The latest progress of the dynamic phenomenon on solid surfaces is summarized,including decay phenomenon of adatom islands,step fluctuations on the surface of metals,the hopping of special clusters on the surface of semiconductors,non-linear oscillation phenomenon on the surface of metal,etc.
总结了近年来国内外固体表面动态现象研究的最新进展,其中包括金属和半导体表面原子岛的塌落现象、金属和半导体表面台阶波动、半导体表面特异集团的跳跃、金属袁面非线性振荡现象及其它一些动态现象;描述了这些动态现象特征及形成机制,并展望了动态现象的研究方向和应用前景。
3) non-linear oscillation
非线性振荡，非线性振动
4) non-linear coupling shake
非线性耦合振荡
1.
Analysis of non-linear coupling shake mechanism for mine lifter system;
提升机电气系统机电非线性耦合振荡机理分析
5) the non-linear oscillation pattern
非线性振荡花样
1.
A detail observation of the non-linear oscillation patterns on the surface ofCu-Zn-Al shape memory alloy is reported in this paper, which hasn’t been discovered byothers yet.
在Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ形状记忆合金表面观察到尚未被人们认识的非线性振荡花样。
6) nonlinear oscillatory circuit
非线性振荡电路
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条