说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 介电陶瓷
1)  dielectric ceramics
介电陶瓷
1.
A study of Mgo-doped (Sr,Bi)TiO_3dielectric ceramics;
钛酸锶铋介电陶瓷中MgO掺杂研究
2.
Study status of modified properties for zinc titanate microwave dielectric ceramics;
钛酸锌微波介电陶瓷的改性研究现状
2)  Dielectric ceramic
介电陶瓷
1.
In this paper, the processing of prepare BaNd 2 Ti 5 O 14 dielectric ceramic formed by Gelcasting has been studied.
讨论了用凝胶注模成型制备BaNd2Ti5O14介电陶瓷的过程。
3)  MgNb_2O_6 dielectric ceramics
MgNb_2O_6介电陶瓷
4)  low dielectric constant ceramic
低介电陶瓷
5)  magneto-dielectric
磁介电陶瓷
1.
Microwave ceramics, including dielectric,magnetic and magneto-dielectric microwave ceramics,are being widely used in electronic instruments and systems.
文章概括介绍了二元系微波介电陶瓷BaO-TiO2和微波磁性陶瓷BaO—Fe2O3,以及三元系微波磁介电陶瓷BaO—Fe2O3—TiO2的研究情况,并对预期进展作了展望。
6)  dielectric ceramics
电介质陶瓷
补充资料:复介电常数


复介电常数
complex dielectric constant

  倒£“ED(t)=“(田)及cos田t+£,,(留)凡sin山t(1)相角子,即式中:/(。卜会cos“(。),:。(。卜会sin“(。)(2)tg占=损耗电流11_f充电电流Ic一万 (7)即在交变电场下,D(t)和E(t)的关系要用两个物理量口和了来表征。上式中,相位占和了、了都是频率的函数,且与温度和电介质结构密切相关。 D(t)可分解为两个分量:一个与E同相位,另一与E有90。相位差。如将上述关系用复数表示,且令君*=Eoe,“‘,D*=Doej(“一泞),则刀‘与E*的关系可表示为 D*(t)=‘*(臼)E*(t)(3)在式中引入复数介电常数扩=了一j已,则 二(田卜;斜一会一‘一‘(田卜j一‘。,“, 静态时,。=0、占=0。即£,,=O,式(3)可表示为D=二,(0)E,其中£,(O)即为静态介电常数£s。可见,g(。)是静态介电常数在交变场下的推广,e’(。)称为频率依赖的介电常数。 动态时,在真空电容器中,电流虽然超前电场二/2,但由于占=0,而不产生损耗;故在具有介电常数的电容器中,单位时间、单位体积中损耗的能量评,可由E及与E同相的电流分量。扩E的乘积表示,即]。“E图1电介质中交流电场E 与电流I的矢量图部和虚部表示,而弛豫时间为 根据复介电常数定 义,由式(4)并经简化 处理后可得 £*(臼)=£‘(臼)一j£“ 6二一己。/。、 t田】=E。十二~一,犷一一~气己少 1一」田T 上式称为德拜公式,用 来表征复介电常数的频 率特性。如将其分成实:时,则得已=昆+65一三.l+田2r2(£。一氛)田T1十田2丁2 已,,tg口一=万,二 Q(‘s一几)田丁£s+氛田2丁2 (9)(10)(11)W一晋DOEOS‘n“一晋“‘“一‘E’“‘g“(5,合(£·l一(去‘一‘。210 10()四T由于了的变化不大,因而能量损耗与复介电常数的虚部已成正比。式(4)中了(动称为介质的损耗因子。式(5)中占称为介质损耗角,tg沙称为介质损耗角正切或介电耗散因子。 在交流电路中,若置介质于平板电容器中,并在两极间外加交流电压V V=Voej“。.,_L一~~,卜。尸。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条