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1)  free dislocation
自由位错
2)  free dislocation segment
自由位错段
3)  MFP of dislocations
位错平均自由程
4)  free displacement
自由位移
5)  free potentiodynamic
自由电位
1.
At the same time,a free potentiodynamic electrode is add between the focus electrode and the anode.
同时在聚焦极与阳极之间增加一个自由电位电极,该电极电位受聚焦极与阳极静电电压感应,形成界于聚焦极与阳极间的电压,该电压在电子枪内形成了另一个聚焦极,从而使从阴极发射出的电子在经过聚焦极聚焦后又进行了一次会聚,因而进一步提高了电子枪的分辨率。
6)  freedom-prioritized
自由优位
补充资料:不全位错


不全位错
partial dislocation

不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界,也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例,最常。二‘。一‘,,,、~,,一一,、,、二加,‘爪1,,,八、~,.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘,~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层,并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错,此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错, 1‘,,。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错,正弗兰克不全位错,。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在,所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移,而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外,在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中,不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错,其间以层错带相联,通常称为扩展位错。 (杨顺华)
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参考词条