1) seismic nonlinear inversion
地震非线性反演
1.
A seismic nonlinear inversion for apparent fracture density of hydrocarbon reservoir based on GA-BP theory;
基于GA-BP理论的储层视裂缝密度地震非线性反演方法
2) seismic nonlinear random inversion
地震非线性随机反演
1.
Research on application of seismic nonlinear random inversion to reservoir prediction in the thin sandstone of continental deposits
地震非线性随机反演方法在陆相薄砂岩储层预测中的应用
3) wavelet frequency division technique nonlinear inversion
构造-测井约束地震非线性反演
4) nonlinear seismic response
非线性地震反应
1.
Semi-active model predictive control of nonlinear seismic response for high-rise buildings;
高层建筑非线性地震反应的半主动模型预测控制
2.
Vertical direction spatial substructure analysis method of nonlinear seismic responses of tall structure;
高层建筑结构非线性地震反应分析的竖向空间子结构法
5) nonlinear earthquake response
非线性地震反应
1.
Analysis of nonlinear earthquake response of metro double-tunnels;
双洞单轨地铁区间隧道非线性地震反应分析
2.
The nonlinear earthquake response of two-layer double-column subway station built in Nanjing City is analyzed by ABAQUS software.
Lee提出的混凝土动力塑性损伤模型模拟隧道管片混凝土在循环荷载下的非线性特性,利用大型商业有限元软件ABAQUS对南京地区两层双柱岛式地铁车站结构的水平向非线性地震反应特性进行了数值模拟。
6) non-linear seismic response
非线性地震反应
1.
In the study, a great number of non-linear seismic response analyses of two typical buildings constructed with LSHC blocks were performed.
文中采用具有负刚度的四折线恢复力模型,用Newmark数值积分法,选用代表Ⅰ～Ⅳ类场地的10地震记录,分别对两栋典型的新型砌块房屋进行了非线性地震反应分析,研究了在抗震设防“三水准”情况下房屋的抗震能力。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条