1) grain boundary reoxidation
晶界再氧化
2) oxydic layer of grain boundary
晶界氧化层
3) poly reox
多晶硅再氧化
4) well-recrystallized alumina
再结晶良好的氧化铝<冶>
5) recrystallization boundary
再结晶边界
6) poly-Si/SiO2 interface
多晶硅/氧化硅界面
1.
It is found that the poly-Si/SiO2 interface has a transition region instead of changingabruptly.
利用二次离子质谱仪对多晶硅/氧化硅界面进行分析,发现多晶硅/氧化硅界面不是突变的,而存在着一个过渡区;根据多晶硅薄膜的成核理论,分析该过渡区形成的物理起源和机理,并利用“氧化层电导”模型,定量分析过渡区对器件栅氧化层电导的影响。
补充资料:高温合金晶界强化
高温合金晶界强化
grain boundary strengthening of superalloy
gaowen heJ一n]Ingjleq旧nghuo高温合金晶界强化(grain boundarystrengthening of superalloy)添加微量元素改善晶界状态达到高温合金强化的目的。晶界的晶体结构不规则,原子排列混乱,晶格歪扭,又存在各种晶体缺陷(如位错、空洞等),因此晶界在高温变形时是一个薄弱环节。在高温蠕变时,晶界形变量占总形变量的5。%,因此强化晶界就成为高温合金强化的一个重要部分。一些有害杂质元素的溶解度很小且往往偏析于晶界,生成低熔点共晶化合物。硫在y一Fe中的溶解度只有0.015%。因此合金中所含的硫在铁中易形成熔点为988C的Fe十FeS低熔点共晶。硫在镍中会形成熔点只有644C的Ni+Ni3S:共晶。这些低熔点共晶在晶界的形成会大大恶化合金的热加工性能和高温热强性。通常高温合金中的硫含量控制在0.015%以下,优质高温合金控制在0.005%~。 .007写以下。美国宇航材料标准AMS228。规定镍基高温合金必须满足杂质控制标准,要求秘、佗、啼、铅、硒5个元素含量分别在(0.5~5)浓10一6以下,同时对锑、砷、锡、稼、锗、金、锢、汞、钾、钠、社、银、锡、铀、锌等15个微量杂质元素的含量分别控制在50x10一6以下,其总和还不允许超过4。。\10一6。为了消除有害杂质和气体的不利作用,进一步净化和强化晶界,可以加入一些微量元素,诸如硼、错、铅、镁、钙、钡、斓和饰等。硼在晶界偏聚,形成M3B:硼化物(见高温合金材料的间隙相)进行强化。硼能抑制晶界片层状、胞状析出相以及改善碳化物密集不均匀分布的状态,因而对热强性有利。铁、镍基高温合金中硼含量总在。.05%以下,通常控制在0.01%~。.02%左右。铸造高温合金中硼含量略高,一般可达。.02%一0.03%左右。错和硼有类似作用,但其效果不如硼大。镁是晶界偏聚元素,使晶界碳化物呈颗粒状分布,因而阻止沿晶裂纹的快速扩展,有利于热强性。镁使高温合金的蠕变第二阶段延长,第三阶段扩展,因而获得高的塑性和长的断裂寿命。由于镁使持久断裂塑性提高,可以大大改善持久缺口敏感性。镁还有去除杂质元素的洁净作用。镁、钙、钡、斓和柿等元素由于化学性活泼,与氧有很大的亲和力,可以在冶炼过程中起良好的脱氧去气作用,又能和一些低熔点杂质生成密度较小的难熔化合物,消除有害杂质在晶界的不利作用。这些微量元素的加人量都有一个最佳量,过量加入反而会使热强性下降。
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参考词条