1) crystalline ratio
晶态比
1.
The results show that the high-quality poly-Si,with particles of 30 nm transverse size and 200~500 nm longitudinal size,90% crystalline ratio,and preferred orien.
利用Raman、XRD、SEM等检测手段,系统研究了沉积气压、衬底温度、衬底与热丝间距离、衬底种类等实验参数对多晶硅薄膜晶态比、晶面择优取向、晶粒尺寸的影响。
2) crystalline
[英]['krɪstəlaɪn] [美]['krɪstə'laɪn]
晶态
1.
The quantificational analysis for the non-crystalline and the crystalline solids in blast furnace(BF)slag was conducted with X-ray diffraction method.
利用X射线衍射法分析了高炉渣中的非晶态和晶态含量,高炉渣(主要成分为w(CaO)38。
2.
A new method of producing amorphous and crystalline ZnO nano-powder was described.
利用低温热解技术,通过在不同温度下灼烧乙酸锌和碳酸氢钠的混合物制备了晶态和非晶态ZnO纳米粉末。
3.
The investigation results show that the structural difference of the amorphous filler metals melted and cooled in vacuum and crystalline filler metals with identical chemical compositions is very small, except for the increase of solid solution content and more dispersive cocrystallizat.
研究了真空熔化炉冷晶态及非晶态Ｎｉ（８０－ｘ）Ｃｒ１０Ｂ２。
3) Crystalline state
晶态
1.
The molecular dynamic simulation and the embedded atom method (EAM) were used to simulate the influence of thermal pulse with different frequencies on the transformation of Cu from crystalline state to non-crystalline state.
采用分子动力学和EAM(embeddedatommethod)势,模拟研究了热脉冲对金属铜从晶态到非晶态转变的影响。
2.
In addition, detected by XRD, the coatings is proved to be crystalline state.
通过测量电沉积阴极极化曲线和电位—时间曲线 ,初步研究了复合电沉积中WC微粒的共沉积过程 ,镀层经XRD检测为晶态结构 ,并通过SEM观察比较了镀层的形貌 。
3.
The experimental results show the distinct differences in the morpholigy and crystalline state of both,and the colse resations to those if their own materials.
通过对比性实验，对高温高压下２厚金属触媒最冷端区域处，再结晶石墨和再结晶碳黑在形态和晶态方面的研究结果表明：一方面两者存在明显的差异；另一方面又与各自的原材料碳有着密切的相关性。
4) crystal
[英]['krɪstl] [美]['krɪstḷ]
晶态
1.
A comparison was made with crystal filler metals of the same composition.
研究了铜的添加对Ｎｉ－Ｃｒ－Ｂ－Ｓｉ系非晶态箔状合金钎料真空钎焊１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ母材的钎缝的组织特征和临界钎焊间隙（ＣＢＣ）值的影响规律，并与相同成分的晶态粉状钎料进行了对比。
2.
ZnO piezoelectric thin films were prepared on crystal substrate Si/SiO2/Ti/Pt and uncrystalline substrate Si/SiO2 by sol-gel method.
采用溶胶-凝胶法分别在晶态衬底Si/SiO2/Ti/Pt和无定形态衬底Si/SiO2上制备了ZnO压电薄膜。
5) Crystal area proportion
结晶比例
6) lattice cell number ratio
晶胞比
补充资料：磁性材料3．非晶态磁性材料
磁性材料3．非晶态磁性材料
Magnetie Materials 3.AmorPhous
值[20〕。一般回火温度T.与非晶态合金的晶化温度Tct和玻璃化温度几有密切关系。一般说，各类非晶态合金的Ts和叭，之间的差别不大，而热处理温度多在T:或叭r下50~100℃处，时间在30一120~之间。 表‘硅桐片和非.态合金的磁损耗参数l取向硅钢IF一B13一513一eZ率为例，在Bm二0.IT(l .kGs)和f~50kHz时磁化的非晶态合金的井值的时效如图8所示。可以看到，温度高，产下降快，一般是不可逆的。使用温度不太高(例如100℃)时，材料的性能不易变坏，图9给出了两种c。基非晶态合金的八可群与使用时间的关系。当几~80℃时，经历1a的八可群约20%。总的说来，不少非晶态合金在100℃使用温度下可用5~10a。打500 105375片厚，mm电阻率，阁·cm总损Pt，mw/kg磁滞损耗八，mw/kg涡流很耗p.，m、v/比(P.+凡)/Pt0.280 .025 1250。96 98 73 120。872.5.5.时效2040汀一一 .找\岌勺┌─────────────┐│-一一‘啥二‘月卜二‘”’ │├─────────────┤│二，材，分于不 │└─────────────┘图9两种c。基非晶态合金在不同频率下的时效 I一co--M。耳zr合金;1一co一Fe一Si一B合金3.制备方法O州义岌10 102 103 10 时间，s图8两种非晶态合金的产值与时间的关系I一Fe7寻Ni刁MosB17S诬2;l一Co67.SFe刁.SNi3MoZBI‘5112a一200℃时;b一150℃时 非晶态合金在使用时，由于环境温度、时间的延续等，使其性能有不同程度的变化，称之为时效。以磁导3.L薄带 任何金属及其合金在液态时，其原子配位是拓扑无序或短程序的。在冷却过程中，如能维持其高温时的原子分布状态，并使之固化，就得到非晶态固体。要做到这一点，只有在极快的冷却速率下，使熔质由熔点T，以上冷却到玻璃化温度，:以下。这个速率不是固定的，它和生成的非晶态固体的性质、成分和尺寸有很大关系。对于非晶态合金薄带，冷速要在105一1少K/s范围，对于纯金属要高达1 ol0K/s以上，并在远低于室温下才能保存。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条