1) two-dimensional electrode
二维电极
1.
The research progress and application of two-dimensional electrode and three-dimensional electrode electrochemical methods for treating waste water in recent years are introduced.
介绍了近年来二维电极及三维电极电化学法处理废水研究进展及应用,并对各种方法进行了阐述,对其前景进行展望,提出了今后的重点研究方向。
2) multi-electrodes
多维电极
1.
The technique and kineticis to remove dissolved humic acids in drinking water by multi-electrodes of granular activated carbon;
活性炭多维电极法去除水中腐殖酸过程与宏观动力学研究
2.
Simulated wastewater of reactive light-yellow K-4G dyes was treated by multi-electrodes method.
以活性嫩黄K-4G染料模拟废水为处理对象,探讨了多维电极系统处理活性染料废水时色度、COD降解的效果和机理。
3.
In this paper, simulated wastewater of reactive light-yellow K—4G dyes was treated by multi-electrodes method or mixing iron fillings.
本论文以活性嫩黄K-4G染料模拟废水为处理对象,考察了单独利用铁屑处理染料废水时色度、CODCr的变化,以及将铁屑加入染料废水多维电极处理系统时的色度、CODCr的变化,结果表明,铁屑电解法使染料废水的色度和CODCr有所降低;在多维电极系统中加入铁屑能使脱色率和CODCr降解率得到显著提高。
3) Three-dimensional Electrode
三维电极
1.
Analysis of effect of dyestuff wastewater treatment by three-dimensional electrode reactor;
三维电极反应器处理染料废水效果分析
2.
Study on treatment of dye-wastewater with three-dimensional electrode reactor;
三维电极反应器处理染料废水的研究
3.
The paper studied the degradation of landfill leachate by three-dimensional electrode on PbO2/Ti anode.
研究了基于PbO2/Ti阳极的三维电极法处理垃圾渗滤液。
4) three dimensional electrode
三维电极
1.
Study on COD removal by using three dimensional electrode-Fenton method;
三维电极-Fenton试剂耦合法去除废水COD实验研究
2.
Study on the treatment of dyeing wastewater by using three dimensional electrode electrochemical method;
三维电极电化学方法处理印染废水实验研究
3.
Study on treatment of dye-wastewater by using Fe/AC three dimensional electrode method
活性炭载Fe~(2+)三维电极法处理染料废水
5) three-dimension electrode
三维电极
1.
Mathematical model for organic pollutant degradation in three-dimension electrode system;
三维电极体系降解有机污染物的数学模型
2.
Study on the working principium of three-dimension electrode system;
三维电极体系工作机理探讨
6) three dimensional electrodes
三维电极
1.
The electrocatalytic electrodes, including titanium anodes coated with transition metal, metal oxides and doped semiconductor, diamond electrodes and three dimensional electrodes are summarized and assessed.
在分析中 ,综述了电催化高级氧化电极研究现状 ,阐述与评价了过渡金属涂层电极、金属氧化物涂层电极、含掺杂半导体涂层电极、金刚石膜电极、三维电极等几个主要方面的研究成果 ,并对今后工作的重点提出了一些意见。
2.
The bipolar packed bed cell (BPBC) is a kind of new type electrochemical process,which has been developed on the basis of the principle of three dimensional electrodes.
复极性固定床电解槽 (bipolarpackedbedcell,BPBC)是在三维电极原理基础上发展起来的新型电化学工程技术 ,其在治理含氰及重金属废水、有机废水和印染废水方面具有良好的处理效果。
3.
The electrochemically assisted photocatalytic degradation of direct sky blue aqueous solution with three dimensional electrodes was studied.
本文在多年研究三维电极的基础上[2 ,3] ,将多相三维电极技术与多相光催化技术相结合 ,试图通过“巧妙的组合”以期达到 1+1>2的目的 ,构成了一种很具特色的多相三维电极电助光催化新体系 。
补充资料：一维和二维固体
某些固体材料具有很强的各向异性，表现出明显的一维或二维特征，统称为低维固体。其中包括：具有链状结构(例如聚合物TaS3、TTF-TCNQ等)或层状结构（例如石墨夹层、NbS2等）的三维固体;表面或界面层(例如半导体表面的反型层);表面上的吸附层（例如液氦表面上吸附的单电子层,石墨表面上吸附的惰性气体层）;薄膜和金属细丝等。按其物理性质这些材料可分为低维导体(例如一维导体TTF-TCNQ，二维导体AsF5的石墨夹层)，低维半导体（例如一维的聚乙炔），低维超导体（例如一维的BEDT-TTF、二维的碱金属石墨夹层），低维磁体（例如一维的CsNiF3、二维的CoCl2石墨夹层）等。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条