1) p-GaN
p-GaN
1.
Effects of annealing on the properties of the Mg-ion implanted p-GaN layer;
退火对Mg离子注入p-GaN薄膜性能的影响
2.
Temperature-Dependent Hall Measurement for Heavily Mg-doped p-GaN;
过量镁掺杂的p-GaN的变温霍尔效应研究
3.
Influence of PECVD generated SiO_2 and SiN_X layers on p-GaN;
PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p-GaN的影响
2) p-GaN
p型GaN
1.
Optimization and Analysis of Magnesium Doping in MOCVD Grown p-GaN;
MOCVD生长的p型GaN薄膜中Mg掺杂的优化与分析(英文)
2.
Growth of p-GaN on High-Temperature AlN Templates;
高温AlN模板上p型GaN的生长研究
3.
The influence of the second annealing time on the electrical property of p-GaN epilayers was studied by Hall measurement.
采用MOCVD技术及渐变-δMg掺杂方法生长了p型GaN薄膜,对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活。
3) p-GaN
p型氮化镓
1.
Ni layer thickness and Ni layer annealing process which affect Ni/ITO-p-GaN ohmic contact were studied through CTLM,I-V curve,surface morphology,optical data etc.
通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。
4) p-GaN
p-氮化镓
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。