1) crystal cracking
晶体开裂
1.
The crystal cracking was studied and the results shown that crystal cracking is related to the pulling rate,rates of rotation and cooling.
本文采用提拉法生长了Cr,Yb,Ho:YAGG可调谐激光晶体,并从理论上讨论了热应力、提拉速度、晶体转速和降温速率等因素对晶体开裂的影响,最后给出了掺铬、镱和钬钇铝镓石榴石激光晶体生长的最佳工艺条件:温度梯度为0。
2.
The crystal cracking was studied and the results show that the crystal cracking is related to package, pulling rate,speed of rotation and cooling speed.
本文采用提拉法(CZ)生长了Nd:GGG晶体,并从理论上讨论了包裹物、提拉速度、晶体转速和降温速率等因素对晶体开裂的影响,最后给出了生长无开裂Nd:GGG晶体的最佳工艺参数:径向温度梯度越小越好,纵向温度梯度在0。
3.
The crystal cracking was studied and the results show that crystal cracking is related to the temperature gradient, pulling rate, speed of rotation and crystal size,and the thermal stress is a main factor which leads to the crystal cracking at the same time.
本论文采用提拉法 (CZ)生长了尺寸为1 5mm× 2 0mm的Nd :NaY(WO4) 2 晶体 ,并从理论上讨论了温度梯度、提拉速度、晶体转速和晶体尺寸等工艺参数以及热应变等因素对晶体开裂的影响 ,给出了生长Nd :NaY(WO4) 2 晶体的最佳工艺参
2) intergranular crack
沿晶开裂
1.
The reinforced connector of the down tail tube in hydrogen manufacturing converted furnace was intergranular crack.
制氢转化炉下尾管加强接头发生沿晶开裂,对接头的化学成分、断口形貌、显微组织等进行了检测与分析。
2.
Along with the diversification of components,the propagation form of cracks changes from intergranular crack into transcry.
Ti/Al2O3界面处生成的Ti3Al相以及Ti3Al周围的气孔是热疲劳裂纹的主要萌生和扩展地;随着成分的变化,裂纹的扩展由沿晶开裂转变为穿晶断裂,裂纹扩展的路线并不是直线,在各梯度层间发生了裂纹的偏转。
3.
The reinforced connector of the down tail tube in hydrogen manufacturing converted furnace was intergranular crack.
制氢转化炉下尾管加强接头发生沿晶开裂,对接头的化学成分、断口形貌、显微组织等进行了检测与分析。
3) intergranular cracking
沿晶开裂
1.
The results show that the main reason for the cracking was high temperature intergranular oxidation,with the fracture morphology being a typical intergranular cracking character.
结果表明,造成主蒸汽滤网开裂的主要原因是晶界高温氧化,断口呈典型的沿晶开裂特征。
4) grain boundary separation
晶界开裂
5) intergranular cracking
晶间开裂
6) transgranular cracking
穿晶开裂
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条