1) weight of the passivation layer
钝化层重量
1.
To use XRF Method to determine the weight of the passivation layer of the galvanized steel sheets,is to take Ka line of Cr as the analysis line,and take the content and the intensity of X radial as the X-coordinate and Y-coordinate to protract working curve,the duly analysis result will have excellent precision and high accuracy,meanwhile,with unparalleled analysis speed.
采用XRF法测定镀锌钢板钝化层重量,是以Cr的Kα线为分析线,直接以含量和X射线强度分别为横、纵坐标绘制工作曲线,分析结果的精密度好,准确度高,分析速度是其它分析方法所无法比拟的。
2) passive layer
钝化层
1.
The results show that the electrolyte density has remarkable influence on the deep cycling performance and the special alloy also provides a good effect,but on the interface of grid and active material still exists a passive layer.
为提高蓄电池的深循环寿命性能 ,对电解液密度、板栅合金、电解液添加剂A等因素对正极板深循环性能的影响进行了实验探讨 ,发现电解液密度过高时对正极活性物质深循环性能有显著影响 ;专用合金I的深循环效果良好 ,但在板栅与活性物质界面仍会出现一定程度的钝化层 ,不利于蓄电池的深循环性能 ;电解液添加剂A对板栅与活性物质界面的钝化层有明显的改善作用 ,从而提高正极板深循环性
2.
Delami-nation causes the damage of passive layer.
研究表明:分层通常发生在芯片上部与包封材料接触的面,并有向整个芯片区域延伸的趋势;应力使交接面分层的同时也使芯片的钝化层损坏,而环境中的湿气会进入器件的包封并聚集在分层区,同时水气会通过损坏的钝化层进入下面的金属互连区,使互连发生短路而损坏器件。
3) Passivation layer
钝化层
1.
The value of pulsed laser energy-equivalent heavy-ion LET has been theoretically analyzed with respect to the impact of a passivation layer on device surface on the equivalent calculation between pulsed laser energy and heavy ion in laser simulation of Single-Event Effects.
介绍了激光模拟单粒子效应实验中,脉冲激光能量等效重离子线性能量传输(LET)值的理论计算方法,分析了器件表面钝化层对脉冲激光能量和重离子LET等效性计算的影响。
2.
Tin could change electronic conductivity of the passivation layer.
锡能改变钝化层的电子导电性 ,通过在不同电位和各种极化时间下电化学阻抗的测量来研究电子导电性与钝化层形成条件的关系。
3.
The effect of passivation layer by measuring stress was investigated.
采用光偏振相移干涉原理测量了硅基上不同钝化层下铝膜应力的变化。
4) passivation
[,pæsi'veiʃən]
钝化层
1.
The relationship between reverse breakdown characteristics of gate-gain and slow trap charges in the interface between passivation layer and semiconductor has been studied by testing gate-gain capacitance of GaAs MESFETs directly using C-f and HF C-V methods.
用直接测定GaAs MESFET的栅-漏极电容-频率(C-f)和高频电容-电压(C-V)的方法,研究了钝化层-半导体界面的慢界面陷阱电荷对栅-漏反向击穿特性的影响,为解决GaAs MESFET的栅-漏反向击穿特性不良和不稳定提供了依据。
2.
In this paper,the technology of removal of passivation, metallization,dielectric layer was introduced including chemical corrosion,reactive ion etching and FIB etching.
本文介绍了失效分析中去钝化层、金属化层和层间介质等的各种方法,包括湿法腐蚀、反应离子刻蚀和FIB刻蚀等方法,结合图例进行剥层前后对比分析,并通过实例说明剥层技术在集成电路失效分析中的重要作用。
5) dual-layer passivation
双层钝化
6) passivating coating
钝化涂层
补充资料：钝化
分子式：
CAS号：
性质：使金属表面转化为不易被氧化的状态，而延缓金属的腐蚀速度的方法。金属的钝化也可能是自发的过程(如在金属的表面生成一层难溶解的化合物，即氧化物膜)。在工业上是用钝化剂(主要是氧化剂)对金属进行钝化处理，形成一层保护膜。
CAS号：
性质：使金属表面转化为不易被氧化的状态，而延缓金属的腐蚀速度的方法。金属的钝化也可能是自发的过程(如在金属的表面生成一层难溶解的化合物，即氧化物膜)。在工业上是用钝化剂(主要是氧化剂)对金属进行钝化处理，形成一层保护膜。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条