1) electrodeposition of chromium
电沉积铬
1.
N-containing cationic surfactant 1631 was used as the hydrogen-evolution retarding agent so as to prevent the competitive precipitation of H+ with Cr 3+ ions during the electrodeposition of chromium and increase the electrodeposition efficiency of chromium.
为阻止氢离子在电沉积铬过程中与三价铬离子竞争析出,提高金属铬电沉积效率,选用1631这种含氮的阳离子表面活性剂作为阻氢剂,在硫酸铵+硼酸介质中扫描极化曲线,利用极化曲线法研究1631在铬电极表面的阻氢作用,以析氢过电位为指标,选取1631浓度、溶液pH值、温度和搅拌速度为影响阻氢效果的4因素,设计L9(34)的正交试验。
2) trivalent chromium electrodeposition
三价铬电沉积
1.
The relationships of cathode reactions in trivalent chromium electrodeposition process were analyzed.
系统分析了三价铬电沉积阴极各反应间的逻辑关系,采用数学方法推导了三价铬电沉积速度与镀液Cr3+浓度、搅拌(对流)强度、温度等因素的相互关系,建立了三价铬电沉积动力学数学模型。
3) deposit of chromium in eggs
铬沉积
1.
In a 2 x 6 factorial experiment , five hundred and fifty Roman laying hens , 57-week age , were randomly divided into 11 groups to study the effects of supplemental dietary of different chromium sources (chromium nicolinale and chromium yeast) and chromium level on egg production performance , egg quality , blood biochemical parameters of laying hens , and the deposit of chromium in eggs .
在试验第60天时，各试验组的蛋铬沉积量与第30天时相比较，均有所下降，但各试验组蛋铬沉积量仍显著高于对照组(P＜0。
4) chromium deposit
铬沉积规律
5) mechanism of chromium electrodeposition
铬沉积机理
6) deposition voltage
沉积电压
1.
Influence of deposition voltage on nanoporous ZnO films by electrochemical synthesis;
沉积电压对电化学合成纳米ZnO多孔薄膜的影响
2.
The influence of deposition voltage on the phase composition and microstructure of HAp coatings was investigated.
采用水热电沉积法在碳/碳复合材料表面制各了羟基磷灰石(hydroxyapatite,HAp)涂层,用X射线衍射、扫描电子显微镜,万能材料试验机等测试手段对涂层进行了表征,研究了沉积电压对HAp涂层晶相和显微结构的影响。
3.
The effect of deposition voltage on auxiliary heat PCVD-TiN coatings has been studied.
研究了不同的沉积电压对辅助加热式PCVD -TiN涂层的影响。
补充资料：电沉积层织构
分子式：
CAS号：
性质：电沉积层与基体的结晶取向关系。即在沉积层中相当数量的晶粒表现出来的某种共同取向特征，又称择优取向。在多晶沉积层中，每颗晶粒的空间方位可用它的晶轴与相对于宏观基体的参考坐标系坐标轴的夹角来表示。如果沉积层中各晶粒的三根晶轴相对于参考坐标系呈随机分布，这便是无序取向。如果各晶粒的三根晶轴中有一根与参考坐标系有固定的关系，则成为一维取向，即通常所指的织构。这根晶轴即称为择优取向轴。有时择优取向轴的数目不止一根，这就意味着沉积层中有些晶粒是按某种关系相对于基体取向的，而另一些晶粒是按另一种关系相对于基体取向的。改变镀液组成、电流密度、pH等都可能引起织构的变化。
CAS号：
性质：电沉积层与基体的结晶取向关系。即在沉积层中相当数量的晶粒表现出来的某种共同取向特征，又称择优取向。在多晶沉积层中，每颗晶粒的空间方位可用它的晶轴与相对于宏观基体的参考坐标系坐标轴的夹角来表示。如果沉积层中各晶粒的三根晶轴相对于参考坐标系呈随机分布，这便是无序取向。如果各晶粒的三根晶轴中有一根与参考坐标系有固定的关系，则成为一维取向，即通常所指的织构。这根晶轴即称为择优取向轴。有时择优取向轴的数目不止一根，这就意味着沉积层中有些晶粒是按某种关系相对于基体取向的，而另一些晶粒是按另一种关系相对于基体取向的。改变镀液组成、电流密度、pH等都可能引起织构的变化。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条