1) hardening type
硬非线性
1.
It is difficult to solve the equation of half sine wave shock-exited vibration due to the pad's hardening type.
半正弦波跌落冲击试验因其垫层的硬非线性而难于求解。
2) nonlinear hardening
非线性硬化
1.
Plastic analysis of surrounding rock of tunnel based on strain nonlinear hardening and nonlinear softening;
非线性硬化与非线性软化的巷、隧道围岩塑性分析
2.
The curve of the constitutive model is linked glossily by elastic,strain nonlinear hardening and nonlinear softening segments.
采用摄动法得到接近岩体实际的弹性、应变非线性硬化和软化3段光滑连接的本构模型,求得静水压力下圆形巷(隧)道围岩塑性硬化区和软化区的应力分布规律。
3) linear hardening character
线性硬化
1.
A theoretical solution to thickness variation of bending metal sheet with perfect plasticity and linear hardening character;
理想塑性及线性硬化板材弯曲成形的变薄规律
2.
Utilize two method ,the thin out of bending metal sheet with ideal plasticity and linear hardening character are analyzed separately,and the formula calculated the variation of the radius of out side suface,thickness of the sheet,thin out coefficient and the inward removal of neutral layer with the radius of the inside suface of bending sheet are derived.
利用两种解法分别对理想塑性和线性硬化板材的弯曲变形进行了分析,推导出弯曲过程中宽板外表面半径、板料厚度、变薄系数、以及应变中性层内移系数等参数随弯板内半径变化的一系列理论解。
4) hard characteristic curve
硬特性线
5) hard ray
硬性射线
6) hard rays
硬性线
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条