1) nitridation schedule
氮化制度
3) nitriding speed
氮化速度
4) nitridation temperature
氮化温度
1.
Grainy gallium nitride( GaN) powders have been synthesized by nitriding GaO2H powders in the flow of NH3 gas at a nitridation temperature of 950℃ for 35 min.
在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓(GaO2H)粉末与流动的NH3反应35min制备出粒状GaN微晶。
2.
Gallium nitride( GaN) powders have been synthesized by nitriding β-Ga2O3 powders in the flow of NH3 gas at a nitridation temperature of 950℃ for 35 min.
在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末。
3.
ZnO films were deposited on sapphire(001)substrates by helicon wave plasma assisted radio frequency magnetron sputtering at various nitridation temperature.
采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,在蓝宝石(001)衬底上制备不同氮化温度的ZnO薄膜。
6) AlN synthesis
氮化铝制备
补充资料：氮化硅晶须补强氮化铝陶瓷基复合材料
分子式：
CAS号：
性质：以氧化铝陶瓷为基体，氮化硅晶须为增强体的复合材料，是一种性能优异的耐高温结构陶瓷。加入氮化硅晶须，可使氧化铝陶瓷的强度、韧性、抗热震性等得到明显的改善。在氧化铝基体中，加入20%(质量)氮化铝晶须制得的复合材料基强度提高了约50%，断裂韧性KIC达到氧化铝基体的1.5倍。这种材料可用于机械受力及耐磨部件以及作为耐热、耐腐蚀部件。
CAS号：
性质：以氧化铝陶瓷为基体，氮化硅晶须为增强体的复合材料，是一种性能优异的耐高温结构陶瓷。加入氮化硅晶须，可使氧化铝陶瓷的强度、韧性、抗热震性等得到明显的改善。在氧化铝基体中，加入20%(质量)氮化铝晶须制得的复合材料基强度提高了约50%，断裂韧性KIC达到氧化铝基体的1.5倍。这种材料可用于机械受力及耐磨部件以及作为耐热、耐腐蚀部件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条