1) doping mechanism
掺杂机理
1.
The recent research of N-doped TiO_2 photocatalyst is summarized,including sample preparation, doping mechanisms and visible light response mechanisms.
概括了最近报道的N掺杂TiO_2可见光光催化材料的研究成果,其中包括样品制备的进展、掺杂机理的研究和可见光响应理论的研究。
2.
In this paper,doping mechanism and preparation methods of this photocatalyst are introduced and in the meanwhile the development tendency in this field predicted.
本文介绍了氮掺杂TiO2的掺杂机理、制备方法,并预测了今后的研究方向。
3.
The doping mechanism and the apparent behavior of doping kinetics of the PAn were discussed.
8T)环境下,采用乳液法合成复合磺酸掺杂聚苯胺(PAn),探讨了PAn的掺杂机理,并对聚合过程中PAn的宏观掺杂动力学行为进行了研究。
2) physical mixture
物理掺杂
1.
: Investigation about three kinds of nickel electrodes modified by cobalt was operated including physical mixture , chemical deposition and covering cobalt .
研究了用物理掺杂、化学镀、包覆等三种方式饰钴后的镍电极的性能。
3) Ormosil
有机掺杂
1.
pH Sensors Based on Rubbery Ormosils Preparation and Their Spectrum Studies;
有机掺杂溶胶-凝胶法制备pH敏感膜及其光谱响应的研究
4) random doping
随机掺杂
5) doping mechanism
掺杂机制
6) doped organic thin film
有机掺杂薄膜
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
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参考词条