1) SrNb_2O_6/Nb_2O_5 heterojunction
异质结(SrNb_2O_6/Nb_2O_5)
3) heterojunction
[,hetərə'dʒʌŋkʃən]
异质结
1.
Photocatalytic Activity and Mechanism of Heterojunction Thin Films;
异质结型光催化膜的活性及其机理研究
2.
Photovoltage Property about Heterojunction Composite Film with 1,4-bis(ferrocene) Thiophene and SnO_2 Nanoparticles;
1,4-双二茂铁噻吩/纳米二氧化锡异质结光伏性质研究
3.
Electron Spectroscopy Studies of the High Quality CeO_2/Si Heterojunction Fabrication;
电子能谱研究生长高质量CeO_2/Si异质结
4) heterojunction
[,hetərə'dʒʌŋkʃən]
异质结构
1.
The heterojunction TiO2/Fe2O3 composite films were prepared by sol-gel method.
采用溶胶-凝胶法制备了TiO2/Fe2O3异质结构的复合薄膜,运用XRD、AFM、紫外-可见光投射光谱等对薄膜的微结构、透光率及其光催化特性进行了表征,分析了薄膜结构对光催化性能的影响,并就可见光催化机理进行了探索。
5) heterostructure
[,hetərəu'strʌktʃə]
异质结
1.
Analysis of band gap in honeycomb photonic crystal heterostructure;
六角蜂窝结构光子晶体异质结带隙特性研究
2.
Guide modes at interface of photonic crystal heterostructures composed of different lattices;
不同晶格光子晶体异质结的界面传导模
3.
Fabrication of Epitaxial La-Sr-Co-O/Pb-Zr-Ti-O/La-Sr-Co-O Heterostructure on Si Wafer;
硅基外延La-Sr-Co-O/Pb-Zr-Ti-O/La-Sr-Co-O异质结的制备
6) Heterostructure
[,hetərəu'strʌktʃə]
异质结构
1.
Research on Oxide Semiconductor Heterostructure Photocatalysis Material;
氧化物半导体异质结构光催化材料的研究
2.
The progress of research on the film of Ba_(1-x)Sr_xTiO_3(BST)/perovskite oxide conductive materials heterostructure;
Ba_(1-x)Sr_xTiO_3(BST)/钙钛矿型氧化物超导薄膜异质结构的研究及发展
3.
Frequency response of photonic heterostructures consisting of single-negative materials;
单负材料光子晶体异质结构的频率响应
补充资料：异质结
一种半导体材料生长在另一种半导体材料上所形成的接触过渡区称谓异质结，依照二种材料的导电类型分为同型异质结(Pp或Nn)或异型（Pn或Np）异质结，多层异质结则称为异质结构。
1949年W.肖克莱发明晶体管时就曾设想过利用异质结宽带隙发射极单向注入的特点提高发射极的注入比，从而企望获得更大的晶体管电流放大系数，但大量的实验研究工作则开始于60年代初期外延生长技术发展之后。
至少有三十种以上的异质结对材料被研究过，按其二种材料点阵常数 a的失配程度分为二类，即匹配型异质结和失配型异质结，前者以 GaAs/Ge为代表，后者以Ge/Si为代表，其失配度Δa/a0(a0表示基质材料的点阵常数,Δa为异质二材料点阵常数的差值)分别为0.08％和4.1％，相应的失配悬挂键密度为1012cm-1及1013cm-1 通常以1013cm-1悬挂键密度作为大致区分这二种类型异质结的界限。
目前三元系、四元系固溶体材料外延生长技术的发展已使得从实验上可得到接近理想匹配的异质结。
由于二种异质材料具有不同的物理化学参数（例如电子亲和势、带结构、介电常数和点阵常数等），因而导致在接触界面处产生了各种物理化学属性的失配，使异质结具有许多不同于同质PN结的新特性。例如，在光学方面异质结具有窗口效应、波导效应，在电学方面则有单向注入效应和对注入载流子的空间局域限制效应等，因此近20年来对异质结材料和器件的研究工作非常活跃，尤以Ⅲ-Ⅴ族材料异质结光电子器件为最,其代表性成就为室温连续波工作寿命达百万小时的 AlGaAs/GaAs双异质结激光器(DHLD)的问世，促使了大容量光纤通信的研究工作进入工程实用阶段。另一卓越成就则是目前引人注目地对调制掺杂场效应晶体管的研究,它采用AlGaAs/GaAs异质结构高低掺杂复合沟道, 注入载流子的输运是在带隙较小的高纯GaAs材料中，它的迁移率很高，沟道中大量载流子的来源则由带隙较高的高掺杂的AlGaAs提供，解决了高传输速率和低内阻抗的矛盾，使器件响应速度达到皮(10-12)秒量级，可与目前超导约瑟夫森结器件（见约瑟夫森效应）相媲美。另一活跃的异质结研究课题即量子尺寸超薄层异质结构激光器，人们称为量子阱激光器，它有很多新特点，例如谱线很窄，温度系数很小，可调谐等。总之它是一种新颖的量子效应功能器件。
1949年W.肖克莱发明晶体管时就曾设想过利用异质结宽带隙发射极单向注入的特点提高发射极的注入比，从而企望获得更大的晶体管电流放大系数，但大量的实验研究工作则开始于60年代初期外延生长技术发展之后。
至少有三十种以上的异质结对材料被研究过，按其二种材料点阵常数 a的失配程度分为二类，即匹配型异质结和失配型异质结，前者以 GaAs/Ge为代表，后者以Ge/Si为代表，其失配度Δa/a0(a0表示基质材料的点阵常数,Δa为异质二材料点阵常数的差值)分别为0.08％和4.1％，相应的失配悬挂键密度为1012cm-1及1013cm-1 通常以1013cm-1悬挂键密度作为大致区分这二种类型异质结的界限。
目前三元系、四元系固溶体材料外延生长技术的发展已使得从实验上可得到接近理想匹配的异质结。
由于二种异质材料具有不同的物理化学参数（例如电子亲和势、带结构、介电常数和点阵常数等），因而导致在接触界面处产生了各种物理化学属性的失配，使异质结具有许多不同于同质PN结的新特性。例如，在光学方面异质结具有窗口效应、波导效应，在电学方面则有单向注入效应和对注入载流子的空间局域限制效应等，因此近20年来对异质结材料和器件的研究工作非常活跃，尤以Ⅲ-Ⅴ族材料异质结光电子器件为最,其代表性成就为室温连续波工作寿命达百万小时的 AlGaAs/GaAs双异质结激光器(DHLD)的问世，促使了大容量光纤通信的研究工作进入工程实用阶段。另一卓越成就则是目前引人注目地对调制掺杂场效应晶体管的研究,它采用AlGaAs/GaAs异质结构高低掺杂复合沟道, 注入载流子的输运是在带隙较小的高纯GaAs材料中，它的迁移率很高，沟道中大量载流子的来源则由带隙较高的高掺杂的AlGaAs提供，解决了高传输速率和低内阻抗的矛盾，使器件响应速度达到皮(10-12)秒量级，可与目前超导约瑟夫森结器件（见约瑟夫森效应）相媲美。另一活跃的异质结研究课题即量子尺寸超薄层异质结构激光器，人们称为量子阱激光器，它有很多新特点，例如谱线很窄，温度系数很小，可调谐等。总之它是一种新颖的量子效应功能器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条