1) PECVD
PECVD
1.
Influences of Electron Energy Stateon the Residual Stress of Silicon Nitride Thin Films Deposited by PECVD;
PECVD中电子能量状态对氮化硅薄膜应力的影响
2.
Study on microstructure and tribological properties of diamond-like carbon films deposited by PECVD;
PECVD法制备类金刚石薄膜的结构和摩擦学性能研究
3.
Preparation of Si inverse Opal structure embedded in Si flute by PECVD;
PECVD制备嵌埋在硅槽中的硅反Opal结构
2) PECVD
等离子体增强化学气相沉积
1.
The Effect of Repeated Ar~+ Bombardment on the Corrosion Resistance of Plasma-enhanced Chemical Vapour Deposited (PECVD) TiN Film;
循环氩离子轰击对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)TiN膜耐腐蚀性能的影响
2.
Facet Antireflection Coatings Deposited by PECVD;
等离子体增强化学气相沉积端面减反膜的研究
3.
High Quality ZnO Thin Films Grown by PECVD from Metal Organic Zinc and Carbon Dioxide Mixture Gas Sources;
用锌金属有机源和二氧化碳等离子体增强化学气相沉积的方法制备高质量氧化锌薄膜
3) PECVD
等离子增强化学气相沉积
1.
The stoichiometry exist in a-CH(N) films, and a-CH(N) films are consisted of C3N4 crystallite phase and CN x matrix which is identified as predominantly sp2 bonded structure.
采用射频－直流等离子增强化学气相沉积技术用Ｃ２Ｈ２和Ｎ２气的混合气体制备出ａ－Ｃ∶Ｈ（Ｎ）薄膜，用ＴＥＭ、红外谱、ＸＰＳ等多种分析测试手段研究了薄膜的结构。
2.
To meet the requirement for the diamond-like carbon thin films with low friction factor,the tungsten-doped diamond-like carbon(W-DLC)thin films prepared through PECVD were studied in depth.
为了满足制备较厚低摩擦系数类金刚石薄膜(DLC)耐磨镀层的实际需求,对在等离子增强化学气相沉积的类金刚石薄膜(W-DLC)中掺钨进行了系统研究。
3.
TiO_2/V_2O_5 double-layer thin films have been prep ared on a silicon and a porcelain tube with gold comb-type electrodes by means o f plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD)technique and sol-gel proc ess with TiCl 4 and V 2O 5 as the precursors.
报道了以TiCl4 和V2 O5为源 ,采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)和溶胶 -凝胶 (sol-gel)技术制备了TiO2 /V2 O5双层薄膜 ,将该薄膜沉积在带有金梳状电极的陶瓷管和硅片上 ,进行了X射线衍射(XRD)分析 ,并且测量其对三甲基胺 (TMA)的气敏特性。
4) PECVD
PECVD法
1.
Amorphous silicon films prepared by PECVD on the glass substrate have been crystallized by conventional furnace annealing(FA) at middle temperature.
用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-S i:H)薄膜用传统炉在中温退火,然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象。
2.
Undoped amorphous silicon film deposited by PECVD at 30℃,350℃,450℃ substrate temperatures,annealed at 850℃ by conventional furnace for 3h and pulsed rapid thermal method for 5min was studied by using Raman,XRD and SEM.
为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-S i:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5m in,然后用Ram an、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀。
3.
Undoped amorphous silicon film deposited by PECVD at the temperature 200,250,300,350,400,450?℃ and stored for three months,then annealed at 450℃ has been studied by using micro-Raman scattering.
通过PECVD法,用玻璃作衬底在200,250,300,350,400,450℃下直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,并在避光状态下贮存3个月,把前后样品用拉曼光谱分析,发现非晶硅峰值480 cm-1基本消失;在石英玻璃100℃下沉积非晶硅薄膜在700℃下10 min,700℃下20 min,750℃下2 min,850℃下1 min;850℃下1 min,850℃下2 min,850℃下5 min,850℃下10 min分别用卤钨灯光照退火,发现850℃下5 min已经充分结晶。
5) PECVD
等离子体增强化学气相沉积（PECVD）
6) PECVD
等离子增强化学沉积
1.
Si thin film prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition ( PECVD ) is characterized by small-thickness and nanocrystallites.
等离子增强化学沉积生长的纳米硅薄膜是由纳米级尺寸的晶粒和晶界组成的厚度极薄的薄膜,采用X射线薄膜衍射法即X射线以低掠射角(1°～5°)入射,延长X射线在薄膜中的行程,同时将聚焦光路改为平行光光路,以提高来自薄膜的衍射强度,得到纳米硅薄膜的衍射峰。
参考词条
补充资料：等离子体增强化学气相沉积
等离子体增强化学气相沉积
plasma enhanced chemical vapor deposition
等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现，20世纪60年代才开始用于制备薄膜。 在电场的作用下，气体分子成为电离状态，通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中，电子由于平均自由程大而得以加速，与中性分子或原子发生碰撞。其中，弹性碰撞使气体温度升高，而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化，产生化学活性的离子和原子团，促进化学反应。 PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。 PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体，一般采用高频电源，频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。 PECVD的优点是可在较低温度下成膜，热损失少，从而抑制了与衬底的反应，并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤，产生缺陷。 PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法，这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
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