1) static oxidization
静态氧化实验
1.
In order to understand the effects of temperature on the formation of red scale on SPAH steel on the line of compaction strip production(CSP),static oxidization method was used and OM,SEM and EDX were employed to study the microstructure of the layer of the red scale.
为了了解温度对SPA-H钢在生产线上形成反常红色锈层的影响,采用静态氧化实验的方法研究SPAH钢红色锈蚀现象。
3) static oxidation test
静态氧化试验
1.
The static oxidation test at 1 000℃ and 1 050℃ are conducted to evaluate the oxidation kinetics of the TBCs.
三种类型试样的 1 0 0 h、1 0 50℃静态氧化试验结果表明 :三层涂层较双层涂层的氧化阻力提高 ,双层涂层的氧化阻力最差 。
2.
The static oxidation test at 1000℃ and 1050℃ were conducted to evaluate the oxidation kinetice of the TBCs.
试样的100小时、1050℃及1050静态氧化试验结果表明:采用复合连接层的TBCs氧化阻力提高;1050℃时复合连接层的阻氧能力降低。
4) Static experiment
静态实验
1.
Laboratory static experiments were conducted to investigate the adsorption capacity of loess for mineral oils.
通过室内静态实验 ,研究了石油类污染物在黄土地区土壤中的吸附行为。
5) static oxidation
静态氧化
1.
The oxidation resistance of a thermal barrier coating, whose bonding layer NiCrAlY was prepared by cathode vacuum arc deposition and top layer Y PSZ was coated by electron beam physical vapor deposition, was evaluated using a static oxidation test at 1100℃.
采用静态氧化试验方法，评定了采用阴极电弧镀方法制备ＮｉＣｒＡｌＹ粘结层、电子束物理气相沉积方法制备Ｙ－ＰＳＺ陶瓷层的热障涂层在１１００℃的抗氧化性能。
6) testing in lab
实验室静态试验
1.
It should be the smaller testing in lab theoretical calculati.
所以在实际输送工作中,喷气燃料中混入的汽油、柴油和石脑油量均需严格控制,应小于实验室静态试验理论的计算值。
补充资料：金属-氧化物-半导体静态随机存储器
具有静态存储信息功能的MOS随机存储器,其存储单元的核心部分是双稳电路。只要电源不断，在单元内的信息便能长期保存，不需要对所存储的信息作周期性的刷新。
原理 图1是由 6个MOS晶体管组成的一位静态存储单元。由增强型和耗尽型 MOS晶体管T1～T4连接成双稳态电路，T5和T6组成向单元存信息或取信息的控制门。由输入地址信号经译码后而选出相应的静态存储单元。为了把存储在单元中的信号写入和读出，还必须配有一套静态读出和写入电路(读写电路)，以及功能控制电路。因此,MOS静态随机存储器在结构上主要包括存储单元阵列、地址缓冲译码器、读出和写入电路（读写电路），以及读出和写入控制电路（读写控制电路）四个部分（图2）。
地址译码按单元阵列的矩形排列，分成X和Y两个方向。Ax、Ay分别表示X和Y地址,为片选信号,为读入和写出控制信号,I/O为输入-输出端。的低电平为选中，高电平为未选(维持态)。的低电平为写入,高电平为读出。
在一个读操作周期(图3)内，为低电平(选中),为高电平（读操作）。当地址Ai输入后,被选中的单元就会在输入-输出端读出存储的数字 D0。从Ai输入到D0读出有一个响应的时间过程，这决定于读出过程中各部分电路延迟时间的总和，即图中的,称为电路的地址取数时间。越短,表示电路的速度越快。
应用 MOS静态随机存储器使用时不需要刷新,故比动态存储器使用方便，已大量应用于微处理器和其他小型数字控制设备。在使用中为了减少电路片数目，在电路结构方面一般采用多位输入-输出形式。例如,四位结构用1k×4，八位结构用2k×8。另外，为了减少管壳的引出端数，通常把输入端和输出端合并为一个端(I/O)，由读写控制器控制，按时分别执行输入(写)、输出(读)，以及维持（即不读、不写）等三种功能。
发展 微处理机技术的发展，促进了 MOS静态随机存储器的研制。同时，随着MOS工艺技术的进步,在集成度、功耗和速度等主要性能指标方面提高得很快。集成度从1k×4、2k×8已发展到8k×8。为了降低功耗,设计和工艺也得到改进。特别是采用了高阻多晶硅负载单元及CMOS单元，使每一单元的功耗下降到微瓦量级。速度的提高主要是由于MOS短沟道技术的发展,以及在读出电路中采用限摆幅等电路技术，使取数时间大大加快。例如，采用小于2微米沟道的高性能MOS静态随机存储器件，取数时间可达30～40纳秒。这样的速度已经接近双极型随机存储器的水平。
原理 图1是由 6个MOS晶体管组成的一位静态存储单元。由增强型和耗尽型 MOS晶体管T1～T4连接成双稳态电路，T5和T6组成向单元存信息或取信息的控制门。由输入地址信号经译码后而选出相应的静态存储单元。为了把存储在单元中的信号写入和读出，还必须配有一套静态读出和写入电路(读写电路)，以及功能控制电路。因此,MOS静态随机存储器在结构上主要包括存储单元阵列、地址缓冲译码器、读出和写入电路（读写电路），以及读出和写入控制电路（读写控制电路）四个部分（图2）。
地址译码按单元阵列的矩形排列，分成X和Y两个方向。Ax、Ay分别表示X和Y地址,为片选信号,为读入和写出控制信号,I/O为输入-输出端。的低电平为选中，高电平为未选(维持态)。的低电平为写入,高电平为读出。
在一个读操作周期(图3)内，为低电平(选中),为高电平（读操作）。当地址Ai输入后,被选中的单元就会在输入-输出端读出存储的数字 D0。从Ai输入到D0读出有一个响应的时间过程，这决定于读出过程中各部分电路延迟时间的总和，即图中的,称为电路的地址取数时间。越短,表示电路的速度越快。
应用 MOS静态随机存储器使用时不需要刷新,故比动态存储器使用方便，已大量应用于微处理器和其他小型数字控制设备。在使用中为了减少电路片数目，在电路结构方面一般采用多位输入-输出形式。例如,四位结构用1k×4，八位结构用2k×8。另外，为了减少管壳的引出端数，通常把输入端和输出端合并为一个端(I/O)，由读写控制器控制，按时分别执行输入(写)、输出(读)，以及维持（即不读、不写）等三种功能。
发展 微处理机技术的发展，促进了 MOS静态随机存储器的研制。同时，随着MOS工艺技术的进步,在集成度、功耗和速度等主要性能指标方面提高得很快。集成度从1k×4、2k×8已发展到8k×8。为了降低功耗,设计和工艺也得到改进。特别是采用了高阻多晶硅负载单元及CMOS单元，使每一单元的功耗下降到微瓦量级。速度的提高主要是由于MOS短沟道技术的发展,以及在读出电路中采用限摆幅等电路技术，使取数时间大大加快。例如，采用小于2微米沟道的高性能MOS静态随机存储器件，取数时间可达30～40纳秒。这样的速度已经接近双极型随机存储器的水平。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条