1) magnetic nanowire
磁性纳米线
1.
Due to their one-dimensional property in the parallel to the nanowire axes orientation,magnetic nanowire array plays important roles in the applications of many areas,such as high-density magnetic recording,sensor element,basic study of nanophase magnets,etc.
磁性纳米线(阵列)具有平行线轴的一维性质,在高密度磁记录、传感器元件和纳米磁体的基础研究中发挥着重要作用,是近年来的研究热点。
2.
This text reviews the kind of the templates,progress on templates synthesis of magnetic nanowire arrays and discusses the segment magnetic nanowire arrays.
一维纳米阵列由于兼具低维纳米效应及高度有序性,使其具有独特的性能而具有广泛应用的潜力,其中磁性纳米线阵列由于在超高密度磁性存储方面诱人的应用前景而备受关注。
3.
Especially, magnetic nanowires and nanotubes with high shape anisotropy have attracted extensive interests.
而具有很强形状各向异性的磁性纳米线、纳米管成为当今研究的重点。
2) magnetic nanowires
磁性纳米线
1.
Study of Immunosensors Based on Magnetic Nanowires;
基于磁性纳米线的免疫检测技术的研究
2.
The immunosensor and detecting system based on magnetic nanowires were studied for rapid immune detection and on-line analysis of biological sample.
为了提高免疫检测速度,实现生物样品的在线分析,研究以磁性纳米线作为标记物的免疫传感器及检测系统。
3) magnetic nanowire arrays
磁性纳米线阵列
1.
The synthesis and characterization of magnetic nanowire arrays have been investigated in this thesis.
一维纳米阵列由于兼具低维纳米效应及高度有序性,使其具有独特的性能而具有广泛应用的潜力,其中磁性纳米线阵列由于在超高密度磁性存储方面诱人的应用前景而备受关注。
5) Magnetic Nanoparticles
磁性纳米
1.
Study on Preparation and Characterization of Metalloporphyrins and Magnetic Nanoparticles Supported-metalloporphyrins and Its Catalysis for Oxidation of Ethylbenzene with Air;
金属卟啉及其磁性纳米固载复合催化剂的合成、表征与催化空气氧化乙苯研究
补充资料：磁性材料2．薄膜磁性材料
磁性材料2．薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film
在一定外加磁场作用下，其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看，这些柱形畴好像浮着的一群圆泡，故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下，可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失，实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m)，每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕，因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发，已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌，磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小，2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看，以铁氧体磁泡材料比较成熟，早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料，后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜，其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol，的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度，~p，K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│4
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条