1) Cr thin film
金属Cr膜
1.
The creep behavior of single crystal PdSi and Cr thin film on Nickel substrate prepared by magnetron sputtering were studied using the depth-sensing indentation method at room temperature,the stress exponents and the corresponding creep mechanism were also analyzed.
1之间;金属Cr膜在4。
2) Cr metal membrane
Cr金属薄膜
1.
Temperature sensor of Cr metal membrane made by radio frequency plasma chemical vapor deposition is discussed.
采用等离子体溅射方法制备了Cr金属薄膜式温度传感器。
3) Cr modification
金属Cr改性
5) Co-Cr alloy thin film
Co-Cr合金膜
6) Cu-Cr alloy films
Cu-Cr合金膜
1.
Cu-Cr alloy films were deposited on different diffusion barrier layers with ion beam auxiliary co-sputtering that combined magnetron sputtering(MS) and ion beam sputtering(IBS) .
用离子束辅助磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在TiN、CrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Cr合金膜。
补充资料：电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一
分子式：
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条