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1)  bismuth tellurium semiconductor
碲化铋半导体
2)  bismuth telluride crystal
碲化铋晶体
3)  Bi_2Te_3
碲化铋
1.
Effect of preparation methods on thermoelectric properties of p-type Bi_2Te_3-based materials;
制备工艺对p型碲化铋基合金热电性能的影响
2.
Peparation of Bi_2Te_3-polyaniline Heterostructured Nanorods by Two-step Electrochemical Depositions;
二次电化学沉积法制备聚苯胺-碲化铋复合纳米棒
3.
Effect of Extra Te Content on Thermoelectric Properties of p-type Bi_2Te_3-Based Materials;
额外Te的掺杂量对P型碲化铋基合金热电性能的影响
4)  bismuth telluride
碲化铋
1.
Thin film of bismuth telluride was formed by alternately depositing Te and Bi via an automated flow deposition(system).
采用一个自动式电化学薄层流沉积系统,通过交替沉积碲元素和铋元素制备了碲化铋薄膜。
2.
Bismuth telluride (Bi_2Te_3)-based alloys are one of the most widelystudied and used thermoelectric materials, whose thermoelectric propertiesare better than other materials.
在常温环境里,碲化铋(Bi_2Te_3)系合金材料是研究最成熟、应用最广泛的一类热电材料,性能比其他材料优异。
5)  defects in mercury cadmium telluride semiconductors
碲镉汞半导体缺陷
6)  Bismuth telluride based compound
铋化碲化合物
补充资料:铋化物
      金属和铋生成的化合物。由金属与铋直接化合而成。铋化镁与稀酸作用可制铋化氢。
  

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